看晶片識記憶體編號識別

[psac]

看晶片識記憶體 ：）
記憶體晶片如按廠家所屬地域來分主要有日，韓廠家，歐.美地區及中國大陸.另含台灣的廠家等等。看編號識記憶體晶片是瞭解記憶體的一個好方法，下面是千辛萬苦收集到的一批資料，可以讓你去瞭解下它們：

主要的記憶體晶片廠商的名稱既晶片代號如下：
現代電子HYUNDAI：HY〔註：代號〕
三星SAMSUNG：KM或M
NBM：AAA
西門子SIEMENS：HYB
高士達LG-SEMICON：GM
HITSUBISHI：M5M
富士通FUJITSU：MB
摩托羅拉MOTOROLA：MCM
MATSUSHITA：MN
OKI：MSM
美凱龍MICRON：MT
德州儀器TMS：TI
東芝TOSHIBA：TD或TC
日立HITACHI：HM
STI：TM
日電NEC：uPD
IBM：BM
NPNX：NN

一.日本產系列：

　　主要廠家有Hitachi〔日立〕，Toshiba〔東芝〕，NEC〔日電〕，Mitsubishi〔三菱〕等等，日產晶圓的特點是品質不錯，價格稍高。

　　1.HITACHI〔日立〕。

　　日立記憶體質量不錯，許多PC100的皆可穩上133MHz。它的穩定性好，生產精細，日立記憶體晶片的編號有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,區別是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外頻，
HITACHI的SDRAM晶片上的標識為以下格式：

　　HM 52 XX XX 5 X X TT-XX
　　HM代表是日立的產品，52是SDRAM，如為51則為EDO DRAM。
　　第1、2個X代表容量。
　　第3、4個X表示資料位寬，40、80、16分別代表4位、8位、16位。
　　第5個X表示是第幾個版本的內核，現在至少已經排到"F"了。
　　第6個X如果是字母"L"就是低功耗。空白則為普通。
　　TT為TSOII封裝。
　　最後XX代表速度：
　　75：7.5ns〔133MHz〕
　　80：8ns〔125MHz〕
　　A60：10ns〔PC-100 CL2或3〕
　　B60：10ns〔PC-100 CL3〕
　　例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位輸出，100MHZ時CL是3。

　　2.NEC。

　　NEC的SDRAM晶片上的標識通常為以下格式：
　　μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
　　μPD4代表是NEC的產品。
　　"5"代表是SDRAM。
　　第1、2個X代表容量。
　　第3或4個X表示資料位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位。當資料位寬為16位和32位時，使用兩位，即佔用第4個X。由於NEC的標識的長度固定，這會對下面的數字造成影響。
　　第4或5個X代表Bank。"3"或"4"代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；"2"代表2個Bank。
　　第5個X，如為"1"代表LVTTL。如為16位和32位的晶片，第5個X已被佔用，則第5個X有雙重含義，如"1"代表2個Bank和LVTTL，"3"代表4個Bank和LVTTL。
　　G5為TSOPII封裝。
　　-A後的XX是代表速度：
　　80：8ns〔125MHz〕
　　10：10ns〔PC100 CL 3〕
　　10B：10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規範。
　　12：12ns
　　70：〔PC133〕
　　75：〔PC133〕
　　速度後的X如果是字母"L"就是低功耗，空白則為普通。
　　-XXX：第一人X通常為數字，如64Mbit晶片上常為準，16Mbit晶片上常為7，規律不詳。其後的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估計與封裝外型有關："NF"對應: 44-pinTSOP-II；"JF"對應54-pin TSOPII；"JH"對應86-pin TSOP-II。
　　例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4個Bank，在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2。

　　3.TOSHIBA東芝。

　　TOSHIBA的晶片上的標識為以下格式：
　　TC59S XX XX X FT X-XX
　　TC代表是東芝的產品。
　　59代表是SDRAM系列。其後的S為普通SDRAM，R為Rambus SDRAM，W為DDR SDRAM。
　　第1、2個X代表容量。64為64Mbit，M7為128Mbit。
　　第3、4個X表示資料位寬，04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。
　　第5個X估計是用來表示內核的版本。目前常見的為"B"。
　　FT為TSOPII封裝。
　　FT後如果有字母"L"就是低功耗，空白則為普通。
　　最後的XX是代表速度：
　　75：7.5ns〔133MHz〕
　　80：8ns〔125MHz〕
　　10：10ns〔100MHz CL=3〕
　　例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且為低功耗型號。

二.韓國產系列：

　　韓國現在的SEC三星和HY（現代，它還將LGS給兼併了）佔據了世界記憶體產量的多半份額，韓國產晶圓的特點是質量比較穩定，價格也較合理。

　　1.SEC〔Samsung Electronics〕三星。

　　三星的SDRAM晶片的標識為以下格式：
　　KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX
　　KM代表是三星的產品。
　　三星的SDRAM產品KM後均為4，後面的"S"代表普通的SDRAM，如為"H"，則為DDR SDRAM。
　　"S"前兩個XX表示資料位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。
　　三星的容量需要自己計算一下。方法是用"S"後的X乘S前的數字，得到的結果即為容量。
　　"0"後的第一個X代表由幾個Bank構成。2為2個Bank，3為難個Bank。
　　"0"後的第2個X，代表interface，1為SSTL，0為LVTTL。
　　"0"後的第3個X與版本有關，如B、C等，但每個字母下又有各個版本，在表面上並不能看得出來。
　　"T"為TSOP封裝。
　　速度前的"G"和"F"的區別在自重新整理時的電流，"F"需要的電流較"G"小，相當於一般的低功耗版。
　　"G/F"後的X代表速度：
　　7：7ns〔143MHz〕
　　8：8ns〔125MHz〕
　　H：10ns〔PC100 CL2或3〕
　　L：10ns〔PC100 CL3〕
　　10：10ns〔100MHz〕
　　例如：KM416S4031BT-GH，是64Mbit〔16*4〕，16，4個Bank，在100MHZ時CL=2。
　　三星公佈的標準PC133晶片：
　　Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
　　Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

　　2.HYUNDAI現代

　現在國內常見的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。現代的HY PC 100 SDRAM的編號應是ATC 10或BTC，沒有A的或B的，就不是PC 100記憶體。經測試，發現HY編號為ATC10的SDRAM上133MHz時相當困難。而編號ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。編號BTC的SDRAM上133MHz很穩定。66841XT75為PC133的，66841ET7K為PC100的。

　　現代的SDRAM晶片上的標識為以下格式：
　　HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX
　　HY代表是現代的產品。
　　5X表示晶片類型，57為一般的SDRAM，5D為DDR SDRAM。
　　第2個X代表工作電壓，空白為5V，"V"為3.3V, "U"為2.5V。
　　第3-5個X代表容量和重新整理速度，分別如下：
　　16：16Mbits，4K Ref。
　　64：64Mbits，8K Ref。
　　65：64Mbits，4K Ref。
　　128：128Mbits，8K Ref。
　　129：128Mbits，4K Ref。
　　256：256Mbits，16K Ref。
　　257：256Mbits，8K Ref。
　　第6、7個X代表晶片輸出的資料位寬，40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。
　　第8個X代表記憶體晶片內部由幾個Bank組成，1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank。是2的冪次關係。
　　第9個X一般為0，代表LVTTL〔Low Voltage TTL〕接頭。
　　第10個X可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新。
　　第11個X如為"L"則代表低功耗的晶片，如為空白則為普通晶片。
　　第12、13個X代表封裝形式，分別如下：
　　JC：400mil SOJ
　　TC：400mil TSOP-II
　　TD：13mm TSOP-II
　　TG：16mm TSOP-II
　　最後幾位為速度：
　　7：7ns〔143MHz〕
　　8：8ns〔125MHz〕
　　10p：10ns〔PC-100 CL2或3〕
　　10s：10ns〔PC-100 CL3〕
　　10：10ns〔100MHz〕
　　12：12ns〔83MHz〕
　　15：5ns〔66MHz〕
　　例如：常見的HY57V658010CTC-10s，HY是現代的晶片，57說明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh　cycles/64ms，下來的8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的產品，-7J和-7K也不是PC133的產品。-8的性能要好於-7K和-7J。

　　3.LGS〔LG Semicon〕

　　LGs早已被HY現代納入麾下，但還是有必要單獨介紹下它。LG現有的記憶體條編號後綴為7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100規格的，速度極慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度參數不同，LGs 7J編號在1073222，LGs 7K編號是1072222，兩者的主要區別是第三個反應速度的參數上。而8才是真正的8ns PC 100記憶體，但國內沒有出現。現在市面上還有很多10K的LGs記憶體，速度比7J和7K差很遠，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的來賣。而7J和7K經過測試比較，7K比7J的更優秀，上133MHz時7K比7J更穩定，但7K的市面上不多見。

　　LGS的SDRAM晶片上的標識為以下格式：
　　GM72V XX XX X 1 X X T XX
　　GM代表為LGS的產品。
　　72代表SDRAM。
　　第1、2個X代表容量，類似現代，16為16Mbits，66為64Mbits。
　　第3、4個X表示資料位寬，一般為4、8、16等，不補0。
　　第5個X代表Bank，2對應2個Bank，4對應4個Bank，和現代的不一樣，屬於直接對應。
　　第6個X表示是第幾人版本的內核，現在至少已經排到"E"了。
　　第7個X如果是字母"L"，就是低功耗，空白則為普通。
　　"T"為常見的TSOPⅡ封裝，現在還有一種BLP封裝出現，為"I"。
　　最後的XX自然是代表速度：
　　7.5：7.5ns〔133MHz〕
　　8：8ns〔125MHz〕
　　7K：10ns〔PC-100 CL2或3〕
　　7J：10ns〔100MHz〕
　　10K：10ns〔100MHz〕
　　12：12ns〔83MHz〕
　　15：15ns〔66MHz〕
　　例如：GM72V661641CT7K，這是64Mbit，16位輸出，4個Bank，剛達到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。　　

三.歐美生產系列及其它：

　　在歐美記憶體廠商中Micron，IBM，SIEMENS西門子等都較有名氣。另外台灣的廠家這幾年來進步也很神速，如茂矽、台晶、華邦、台積電和聯華等廠家在生產規模和技術上已經趕韓超美了，國產的晶圓的質量不錯，價格也很便宜。

　　1.Micron。

　　Micron的SDRAM晶片下標識為以下格式：
　　MT48 XX XX M XX AX TG-XX X
　　MT代表是Micron的產品。
　　48代表是SDRAM系列。其後的XX如為LC則為普通SDRAM。46V為DDR SDRAM。
　　Mricron的容量需要自己計算一下。方法是將XX M XX中的M前後的數字相乘，得到的結果即為容量。
　　M後的XX表示資料位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。
　　AX代表Write Recovery〔Twr〕，如A2表示Twr=2clk。
　　TG為TSOPII封裝。LG為TGFP封裝。
　　最後的XX是代表速度：
　　7：7ns〔143MHz〕
　　75：7.5ns〔133MHz〕
　　8X：8ns〔125MHz〕
　　其中X為A~E，字母越後性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分別為：3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。
　　10：10ns〔100MHz CL3〕
　　速度後如有L則為低耗。
　　2.IBM。
　　PC電腦的開山鼻祖實力當然不俗。IBM的PC100記憶體有XXXXXXXCT3B260。
　　IBM的SDRAM晶片上的標識為以下格式：
　　IBM03 XX XX X XT3X ---XXX
　　IBM代表為IBM的產品。
　　IBM的SDRAM產品均為03。
　　第1、2個X代表容量。
　　第3、4個X表示資料位寬，為40、80、16等。
　　一般的封裝形式為TSOP。對4位資料位寬的型號，如第4個X不為0而為B，則為TSOJ封裝。
　　第5個X意義不詳，16Mbit上多為9，64Mbit上多為4。
　　第6個X為P為低功耗，C為普通。
　　第7個X表示內核的版本。
　　最後的XXX代表速度：
　　68：6.8ns〔147MHz〕
　　75A: 7.5NS〔133MHz〕
　　260或222：10ns〔PC100 CL2或3〕
　　360或322：10ns〔PC100 CL3〕在B版的64Mbit晶片中，260和360在CL=3時的標定速度為：135MHZ。
　　10：10NS〔100MHz〕
　　例如：IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100規範。
　　3.SIEMENS〔西門子〕
　　晶片標識：HYB39S xx xx0 x T x -xx
　　前兩個xx為容量,最後兩位xx是速度：
　　6—166MHz
　　7—143MHz
　　7.5—133MHz
　　8—125MHz
　　8B—100MHz〔CL3〕
　　10—100MHz〔PC66規格〕

只是少了DDR記憶體顆粒的介紹，希望能找到資料補齊。

中國台灣省？？？

在歐美記憶體廠商中Micron，IBM，SIEMENS西門子等都較有名氣。另外中國台灣省的廠家這幾年來進步也很神速，如茂矽、台晶、華邦、台積電和聯華等廠家在生產規模和技術上已經趕韓超美了，國產的晶圓的質量不錯，價格也很便宜。


他應該是直接轉載的吧...麻煩開版的人...修改一下..是>>中華民國台灣省..OK
不然我一定抗議....中國台灣省<<< 沒有這個地方...我們住在中華民國台灣省OK