自從DRAM誕生以來已經走過了十多年，從十年前的快頁記憶體，到EDO記憶體，再到SDRAM，DRAM一步一個腳印的發展。
DRAM的基本結構相當簡單，它採用電容來儲存於資料，因此能夠以較低成本做到高密度的記憶體。
但是DRAM的缺陷也是明顯的，那就是電容充放電需要時間，存在漏電，而且每讀取一次資料就需要重新重新整理一遍，這些因素使DRAM的頻率不能無限提高。
因此才會有DDR記憶體，以及DDR2記憶體出現，DDR也就是雙倍資料傳輸率的意思，但這並不是它解決DRAM頻率的關鍵，DDR所採用的資料預取（prefetch）技術才是解決問題的關鍵。
Intel發佈了915/925晶片組把DDR2 SDRAM引入主流桌面平台，我們知道DDR2 SDRAM依然屬於DDR範疇，也就是在時鍾信號的上升沿與下降沿傳輸資料。知道了這一點，讓我們來看看DDR2 SDRAM的基本構造。
4-bit Prefetch是DDR2提高帶寬的關鍵技術
我們可以通過Prefetch（資料預取）架構來解決DRAM頻率過低的問題，舉例來說PC133 SDRAM採用了管線突發架構（Pipeline）或者說是1bit Prefetch，因此它內部資料總線的頻率是133MHz和資料輸出端的資料傳輸率是一樣的。
DDR記憶體採用了2bit Prefetch技術，因此它輸出端的資料傳輸率是內部資料總線頻率的2倍，以DDR266為例，它的內部儲存於單元頻率是133MHz，而輸出端的資料傳輸率達到了266MHz。
DDR2採用了4bit Prefetch（資料預取架構），因此DDR2 533內部Cell（儲存於單元）的工作頻率僅為133MHz，這要比DDR400的200MHz Cell頻率還要低。
也就是說引入DDR2，可以讓記憶體頻率提升回到一個新的起跑線，有了更大的提升空間。
引入DDR2除了速度上的優勢外，DDR2 SDRAM僅為1.8V的工作電壓可以大幅降低記憶體的功耗，以及減少發熱量。DDR2內建終結電阻（ODT），它可以最大限度的減少DRAM模組中的信號反射，提高信號品質。DDR2還具有OCD，也就是離線（Off Chip）驅動校準，它可以調節I/O驅動的阻抗，使信號線的上拉與下拉電阻相等，可以提高信號完整性，增加信號品質。
DDR2還有一個明顯的優勢，它引入了posted CAS，通過使用附加延遲來減少時序的衝突，解決資料「冒泡」問題。
在DDR2段交錯操作（bank-interleaving operation）時使用4bit突發模式來提高總線利用率。