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舊 2005-11-01, 01:53 PM   #18 (permalink)
psac
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談到超頻,許多玩家都有這樣的疑問:一樣的主機板、CPU和電源,同樣的倍頻、外頻設定,為什麼人家超的上去,我就不行呢?同樣的CPU頻率,為什麼別人的運算速度就比我的快呢?其實這些問題的答案很簡單,就是記憶體問題。

  自從Intel和AMD限制了CPU倍頻之後,超頻就只能從外頻下手了。提高外頻,除去有良好的主機板支持,記憶體也變得尤為重要。眾所周知,如果記憶體頻率採用分頻設定,不但會影響系統整體效能,還會導致CPU的潛力無處發揮,這種現象在AMD平台上尤其明顯。所以,選項好超頻的記憶體就變成超頻玩家不可忽略的一件大事。

  在國際超頻高手衝擊記錄的程序中,大部分調校時間都花在了記憶體上,記憶體的參數直接影響著SuperPI的速度,頻率帶寬關係著CPU主頻的提升和3D測試成績的提高。我們可以這麼說:記憶體的好壞直接關係著超頻的成敗,記憶體是超頻程序中的幕後英雄!

  本文分為記憶體參數簡析,四種超頻顆粒介紹和記憶體原理淺談三大部分。很多朋友趁著現在的記憶體價格很低紛紛擴容了記憶體,所以在顆粒介紹部分,我們只選取了部分在國際玩家中擁有不錯口碑的單條512MB和1GB記憶體。

超頻之前先談參數

  超頻程序中,為什麼調校記憶體所花時間最長呢?原因就記憶體參數最佳化。參數最佳化的歷史可以追溯到SDRAM時代。在那個年代,大家追求的只有CL值,CL=2就是當時的參數最佳化目標。到了DDR年代,對於參數的描述變成了4個值,例如:2-2-2-5。但這4個數位所代表的含義到底是什麼?簡單來說就是CL-tRCD-tRP-tRAS,這個縮寫的全程和中文名稱如下:

1、CL(CAS Latency)
  中文名稱為「記憶體讀寫操作前列位址控制器的潛伏時間」,在BIOS中的選項可能為:2、2.5和3。隨著DFI NF4主機板的出現,還增加了1.5這個極限選項。這個參數很重要,記憶體條銘牌上一般都有推薦參數。較低的CAS週期能減少記憶體的潛伏週期以提高記憶體的工作效率。因此只要能夠穩定執行操作系統,我們應當盡量把CAS參數調低。反過來,如果記憶體執行不穩定,可以將此參數設大,以提高穩定性。

2、tRCD(RAS-to-CAS Delay)
  中文為「行尋址至列尋址延遲時間」,一般選項有2、3、4、5,別名有Active to CMD等。對於延遲時間,當然是數值越小,效能越好。
  
3、tRP(RAS Precharge Time)
  「記憶體行位址控制器預充電時間」一般只有2、3、4三個選項。這個參數的名稱也比較多,一般有RAS Precharge、Precharge to active幾種。tRP值越低,預充電參數越小,則記憶體讀寫速度就越快。

4、tRAS(RAS Active Time)
  「記憶體行有效至預充電的最短週期」nForce系列主機板對它的調節幅度最大,從1到15都可選項。別名也是最多的: Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。調整這個參數需要結合具體情況而定,推薦參數選項有5,6或者7這3個。大多數情況還要結合主機板和CPU情況,並不是說越大或越小就越好。

  進入了64位時代,記憶體參數調節又多了一個選項--Command Rate。
這個選項就是K8平台超頻時所稱的「1T、2T」,全名「首指令延遲」,一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於DDR記憶體在尋址時,先要進行P-Bank的選項(通過DIMM上CS片選信號進行),然後才是L-Bank/行啟動與列位址的選項。這個參數的含義就是指在P-Bank選項完之後多少時間可以發出具體的尋址的L-Bank/行啟動指令,服務機構是時鍾週期。顯然,也是越短越好。但當隨著主機板上記憶體模組的增多,控制晶片組的負載也隨之增加,過短的指令間隔可能會影響穩定性。因此當你的記憶體插得很多而出現不太穩定的時間,才需要將此參數調長。目前的大部分K8主機板預設參數都比較保守,採用2T。


http://www.ocer.net/article/a_upload/1126847808_2.jpg

  如果您覺得單純的文字敘述不能說明參數最佳化和延遲的問題,那我們就來看一張理論模型圖。從圖中,我們能夠直觀的看到CL值變化,對延遲的影響。雖說在單週期內的影響並不大,但在實際使用時,每秒要400次以上的週期循環,這種延遲就很明顯了。

  提高記憶體頻率就是使每秒內循環週期完成的次數增多,加大資料的吞吐量,也就是常說的增加記憶體帶寬。對記憶體進行超頻不像CPU那樣簡單,最主要的問題是記憶體顆粒選項問題。不同廠家的顆粒帶有不同的超頻特性,下面我們就來具體的瞭解一下。

  現在記憶體已經變成了一種廉價硬體,擁有1GB以上的記憶體已經不再是件奢侈的事情,下面我們就開始介紹單條512MB和1GB的DDR記憶體顆粒。
單條512MB DDR記憶體

  說到單條512MB DDR記憶體,其顆粒製造商可謂數量眾多,其中最著名的當屬華邦(Winbond)和三星(SAMSUNG)。

緬懷傳統--華邦(Winbond)

  華邦(Winbond)的記憶體顆粒是DDR時代初期的神話,以低延遲和高電壓敏感性這兩大特性著稱於世,其中的最強者就是已經停產的BH-5。

http://www.ocer.net/article/a_upload/1126847808_3-s.jpg[/img]
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  BH-5顆粒最早是以普通DDR400顆粒身份上市的,並不是什麼特製超頻顆粒。圖中的幾條記憶體就是2003年時在市場銷售的DDR400產品。可惜BH-5的在世時間並不長,2004年就被停產。

  但在今年,市場又出現了「新BH-5」顆粒。其實這種顆粒並不是當年的BH-5,而是記憶體廠商在清理庫存時廉價拋出的未經檢測顆粒。國際上對這種未檢測顆粒統稱「UTT」。UTT是一種記憶體顆粒製造中不負責任的產物,當然採購價格也很低廉,32M單顆粒的價格只有2美金左右。


http://www.ocer.net/article/a_upload/1126847808_4.jpg

  圖中的記憶體半成品就是採用的華邦處理的UTT顆粒,顆粒上沒有任何字元編號。這種顆粒並不是傳說的極品,而是魚龍混雜的拼盤。但各記憶體品牌是要對用戶負責的,他們會將採購來的UTT進行檢測分類,這就出現了下面的產品。


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http://www.ocer.net/article/a_upload/1126847808_5-s.jpg
  這種記憶體也有著不錯的超頻和最佳化效果,若想要得到最佳效果,就必須要3.2v以上的高壓伺候。
http://www.ocer.net/article/a_upload/1126847808_6-s.jpg

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  這就是世界知名華邦顆粒大師--狂少,在4V記憶體電壓時的超頻記錄,既時頻率已經接近DDR600。

現世之王--三星(SAMSUNG)
[img] http://www.ocer.net/article/a_upload/1126847808_7-s.jpg[/img]

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http://www.ocer.net/article/a_upload/1126847808_8-.jpg
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  三星(SAMSUNG)能夠成為DIYer心中的記憶體王者,完全是因為其超頻專用顆粒TCCD。TCCD是現在唯一能在2.6v電壓下穩定執行的DDR600的記憶體顆粒,其豐功偉績數不勝數,K8超頻記錄的每一次突破,都有著它的身影。在它如日中天的今天,三星公佈了一個令人震驚的消息--停產TCCD!這無疑給全世界超頻玩家潑了一盆冷水。

http://www.ocer.net/article/a_upload/1126847808_9.jpg


  沒有了TCCD,我們還有別的選項嗎?當然,那就是三星後續發怖的廉價顆粒TCC5。

http://www.ocer.net/article/a_upload/1126847808_10-s.jpg
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  有的玩家會感覺TCC5的超頻效能不如TCCD,其實不然。TCC5由於製程改進,其高頻激發電壓也有了變化。在電壓超過3v時,同樣能以不錯的參數穩定執行在DDR600,可以說兼具BH-5和TCCD的雙重「性格」。

  上面介紹的顆粒雖說有著極強的超頻效能,但單顆粒容量最大僅為32MB,對於追求海量記憶體的高端發燒玩家,顯然是不夠用的。下面,我們就來看看單條1GB記憶體有什麼極品。
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