單條1GB DDR記憶體
單條1GB的DDR記憶體大都採用雙面設計，由於單顆粒容量較大，內部線路密集，所以超頻效能平平，要想製造高頻顆粒，就必須在製造工藝上有所突破。
異軍突起－－鎂光（Micron）
鎂光（Micron）身為世界第二大記憶體顆粒製造商，其產品卻在國內極少現身。這是因為鎂光很少將自己的優質顆粒賣給其他記憶體品牌，其極品顆粒一直是專供自家DIY品牌Crucial使用。
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Crucial最新推出的單條1GB記憶體選用MT -5B新版顆粒，在歐美玩家的心目中，超頻效能絕不亞於三星的TCCD。MT -5B新版顆粒拋棄了傳統的66pin-TSOPII封裝，轉用DDR2的推薦封裝60ball-FBGA。
傳統的TSOPII封裝形式可以使記憶體很好的工作在200MHz以上。但頻率更高，容量更大時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這就會影響記憶體的穩定性和頻率提升。這也就是普通單條1GB記憶體頻率很難突破250MHZ的原因。而DDR2推薦的FBGA封裝形式，提供了更為良好的電氣效能與散熱性，為大容量記憶體的穩定工作與極限超頻提供了堅強的硬體保障。
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使用了FBGA封裝的MT -5B，在2.9v時達到了TCCD的300MHz 1T參數。如果記憶體電壓能到3v以上，一定還會有更為出色的表現。
就算不採用最新的封裝形式，在原有TSOPII上下功夫，最佳化內部架構，也會對大容量顆粒的超頻效能有所提高的，三星就做到了這一點。
最終王者－－三星（SAMSUNG）
三星（SAMSUNG）不愧為DDR時代的終結者，在512MB容量有TCCD和TCC5稱雄，到了海量1GB的今天，又力推UCCC新君登基。
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UCCC顆粒首現於2004年4月，早期專供伺服器高端ECC記憶體使用；幾經調整，最終於2005年1月進入一般民眾領域。前期產品依舊保持著伺服器記憶體的特點，只以穩定性見長，超頻效能一般。但三星為了重奪高頻記憶體之王的寶座，於今年6月對UCCC做了進一步製程最佳化。
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最佳化過的UCCC不僅保持了原有的穩定性，超頻性也是可比TCCD。滄者極限測試的創見記憶體，使用了最新525週期的UCCC顆粒的創見。兩條1GB組成雙通道，僅用2.8v電壓就實現了1T DDR600。高頻與海量兼得，穩定性絕佳，這就是DDR時代的最終王者－－三星UCCC。