讓你記憶體極速執行！9款DDR延遲最佳化實戰(附:記憶體超頻相關知識和測試軟體大全)
雖然目前記憶體價格的下調如流星雨般降落在地球上，但是我們真的有必要再花錢去給我們的愛機「補藥」加記憶體嗎？
尤其是大多新購的機器都512M記憶體標準組態， 嚴然是高興.也算按說使用上應該是綽綽有餘了，可是您的機器為什麼跑「天堂II」或「魔獸世界」的時候還有時會發生要頓一頓呢？
其原因值得探討....
以游戲上包裝說明..512M記憶體可是他們的推薦組態啊~~~而目前所謂的優化軟體來執行「記憶體最佳化軟體」一般都是治標不治本，若開啟「天堂II」或「魔獸世界」的話可能連標都不治了。
其實這時真正的原因是記憶體的效能不力的原由,跟優話調整軟體快取..等無關。
既然我們要在家庭裡手動式最佳化記憶體，那麼我們需要瞭解記憶體相關的知識什麼呢？
首先我們要先瞭解影響記憶體效能的幾個參數：說明列出如道來....
一、記憶體工作頻率
1、DDR記憶體既然叫做雙倍速率SDRAM（Dual date rate SDRSM），就是說他是SDRAM的昇級換代產品。從技術上分析，DDR SDRAM最重要的改變是在界面資料傳輸上，其在時鍾信號上升緣與下降緣時各傳輸一次資料，這使得DDR的資料傳輸速率為傳統SDRAM的兩倍。
那麼大家就應該知道了，我們所說的DDR400，DDR333，DDR266，他們的工作頻率其實僅為那些尾數的一半，也就是說DDR400工作頻率為200MHz。
瞭解了這些，有助於我們接下面來更改DDR的記憶體設定。
2、工具測試法，我們可以使用一些工具來測試我們的記憶體的頻率，如SISSOFT SANDRA2005，他們可以很簡單的將您記憶體的工作頻率顯示出來，比較方便嘍...
3、小編能告訴您的是，記憶體的工作頻率的修改將最大程度上的影響您記憶體的效能，但是超頻的前提——散熱和紮實的硬體知識是必不可少的，而根據不同機器其他配件的優良程度，超頻將是一個非常不穩定且危險係數極大的工作，那麼我們的最佳化可能將為我們機器的今後的使用留下很多的隱患，最佳化後的烤機和測試的工作量也將非常巨大，看來普通家庭對記憶體的最佳化還是要另覓他路哦。
二、記憶體工作電壓
目前我們接觸最多的DDR記憶體電壓是2.5V、2.6V和2.8V，當然隨著電壓的提高，效能也就提高了。
雖然很多主機板的BIOS都提供了記憶體電壓的調節選項，但在家庭中由於散熱和技術能力的約束，個人修改電壓的方法成為了既困難又危險的事情，所以我們暫不考慮他。
三、記憶體延遲參數。
什麼是記憶體延遲呢?
記憶體延遲基本上可以解釋成是系統進入資料進行存取操作就緒狀態前等待記憶體回應的時間。
打個形象的比喻，就像你在餐館裡用餐的程序一樣。你首先要點菜，然後就等待服務員給你上菜。
同樣的道理，記憶體延遲時間設定的越短，電腦從記憶體中讀取資料的速度也就越快，進而電腦其他的效能也就越高。
這條規則雙雙適用於關於英特爾以及AMD處理器的系統中。
由於沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際記憶體標準組織認為以現在的動態記憶體技術還無法實現0或者1的延遲。
通常情況下，我們用4個連著的阿拉伯數位來表示一個記憶體延遲，例如2-2-2-5。
其中，第一個數位最為重要，它表示的是CAS Latency,也就是記憶體存取資料所需的延遲時間。第二個數位表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數位分別表示的是RAS預充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數位一般而言是它們中間最大的一個。
如圖所顯示，我們可以看到Crucial DDR333記憶體的延遲圖表。通過這張圖表，我們可以看出延遲數位所表示的含義。
以最上面的CL=2的記憶體為例，圖中分別有CAS2，CAS2.5以及CAS3三種延時。注意垂直的虛線，它表示的是時鍾信號的上升沿或下降沿。由於這是一款DDR記憶體，因此，一個時鍾週期內含有兩個點。
CAS latency是註冊讀取指令到第一個輸出資料之間的延遲。CAS latency的服務機構是時鍾週期。
一塊延遲設定為2-2-2-5的DDR記憶體，其效能要高出延遲為3-4-4-8的DIMM。
這是因為前者接收到一條指令，找回資料以及送回資料的延遲要比後者要短。
體現在BIOS設定裡，還有很多相關的選項：
在BIOS主界面的 Advanced Chipset Features 選項子界面中大家可以看到：
SDRAM Frequency
Configure SDRAM Timing by SPD
SDRAM CAS# Latency 簡稱CL
SDRAM RAS# Precharge 簡稱TRP
SDRAM RAS# to CAS# Delay 簡稱TRCD
SDRAM Precharge Delay 簡稱TRAS
SDRAM Burst Length 簡稱BL
具體在選項的描述上可能有差異，更多詳細請參考附錄1。
其實記憶體延遲的調節一定意義上也是超頻的一種手段，但是它是在最低危險程度下根據記憶體的自身條件做出的調節，也就是說，在記憶體的反應程度上調節記憶體的工作的狀態，叫它少休息，多工作，所以長期調整記憶體延遲對記憶體本身還有一定傷害的。
事先聲明，並非延遲越小記憶體效能越高，因為CL-TRP-TRCD-TRAS這四個數值是配合使用的，相互影響的程度非常大，並且也不是數值最大時其效能也最差，那麼更加合理的配比參數成為了我們至關重要的一個環節。
本著DIY精神並以面向廣大消費者為目的，我們今天拿來了目前石家莊市場上9大品牌的DDR400 256MB記憶體和大家協同實戰，包括：Kingston 金士頓、TwinMOS 勤茂、HY 現代、LEADRAM 超勝、Apacer 宇瞻、V-DATA 威剛、GIGARAM 光電、Kingstek 金士泰、Geil 金邦，足夠囊括您的記憶體在內，您也可以參考我們的測試結果合理設計您自己的最佳化測試，以達到最好的效果。
我們當然不推薦「順手主義」，記憶體的具體效能還是由記憶體個體來決定的，請不要在未經過測試就輕易照抄參數直接使用，
或你不是硬體有見識,操毀壞掉記憶體,小心您的記憶體吃不消哦。
還好縣記憶體多是全保固,只要不是人毀的痕跡....
現看看我們的記憶體全家福：
Kingston 金士頓 DDR400 256MB
