記憶體時序問題
 

請問各位,
記憶體標籤上都會標上時序號碼,
如9-9-9-27
找到了網路上的說明是:
1.tCAS（Column Address Select）：列位址送出，到資料取得之間的時間。
2.tRCD（RAS to CAS Delay）：送出行位址之後，到送出列位址之間的時間。
3.tRP（RAS Precharge）：關閉一行，到重新啟動另一行之間的時間。
4.tRAS（Row Address Select）：啟動一行需要的時間。

但我也有看到一個號碼是:9-9-9
並沒有第四個數字顯示,
這又代表著什麼呢?
還有時序要數字愈大愈好,還是愈小愈好?

這個稱為 CL值
通常越新的(DDR3 相較 DDR2)記憶體
反而數值越大
雖然從字詞上講 CL值越小會越好
但把 頻寬/率 算上去的話
反而延遲時間會較短
( http://webcache.googleusercontent.co...&ct=clnk&gl=tw )

而在電腦實際運作上
延遲時間短會比CL值小更有優勢

那這個CL到底是做什麼用的
就是給超頻者玩弄用的
如果手動這幾個設定可能可以得到一些效應
不過通常會變的不穩定

可以這麼比喻
超頻CPU有 調倍頻 與 調外頻
而對記憶體而言 CL就有點像那個倍頻的意義

謝謝你,受教了.