請 電腦組裝老手 以及 電腦專家 幫幫忙
 

請問這個EDO-RAM 和 EDO-DRAM有啥不同呢
這是我報告要用的..請幫忙解答..

感激不盡~~

有DRAM沒聽過EDO-DRAM

DRAM
態隨機存取記憶體，利用電晶體的電容通放效應做的一種
RAM，在同樣大小的晶片(顆粒)上可以比 SRAM 做出更多
的容量，在速度上比 SRAM 慢很多(成本更低) DRAM 是利
用電晶體的電容通放效應做出來的，它會有電容漏電的現象
，導致記憶的狀態改變，因故需要一組電位復歸/ 刷新電路
(由主機板的晶片組提供)來進行 DRAM 的電位復歸/ 刷新以
維持記憶的狀態。工作速度 80~100 ns，比同顆粒的
SRAM 多出至少 20 倍的容量。

EDO RAM
改良過具有快取功能的動態隨機存取記憶體，在DRAM
的晶片上加上一個 1 bit 的快取線路用以提昇 DRAM
晶片的工作速度。

SRAM
靜態隨機存取記憶體，採用邏輯閘的線路設計，反映快速
穩定，工作速度只有 5 ~ 20 ns 之間，因為成本高，加上
單一顆粒的容量不大，只有主機板的快去記憶體用 SRAM
來增加主機板的效能。

SDRAM
一種接著 EDO RAM 之後的 RAM 算是 EDO RAM 的接班人
有著更快的速度更大的容量，工作速度 80~50 ns，市面上
仍看的到，有PC-100、133、150 之區分。

DDR RAM
為 SDRAM 的接班人，係利用系統時脈的上下邊緣來作觸發
存取資料，必起 SDRAM 用單一邊緣觸發存取資料來的更有
效率，使其資料的傳出能力提升為 SDRAM 的兩倍，固有
DDR 200、266、333、400、500，指的是上下邊緣來作
觸發的次數，既主機板的系統時脈如為 133 者的兩倍=266。
CPU 的外頻既是這個主機板的系統時脈，內頻是用倍頻線路
已倍數乘上去的，如 Athlon 1000GHz = 133 * 7.5。而
DDR 是主機板的系統時脈*2=266 。除非 CPU 有要外頻
166 以上的能力(要靠 AMD 來改良)不然用 DDR 333/400
的效能會一樣，因為還是在 DDR 266 的速度在跑，除非超頻。

應該是這樣吧~~~~~~我也忘了差不多:D:D:D:D:D

Re: 請 電腦組裝老手 以及 電腦專家 幫幫忙
 

沒什麼不同...都是指同一種東西...跟人家叫你X先生或者XXX意思一樣.....

EDO DRAM...

Extended Data Output Dynamic Random Access Memory

由於處理器在取某一位址的資料時,會有相當大的機會在下一次動作時,使用到附
近的位址的資料,因此利用這種特性EDO DRAM會記著前一次讀取動作的位址,
取用附近位址資料時便可以加速進行..
EDO DRAM可以加入記憶體讀取週期,理論上在記憶體效能改進可達百分之四十
,但是EDO RAM最多只能跟上66MHZ的效率,而後來推出的微處理器如AMD和
INTEL的100MHZ外頻的處理器,因無法跟上其速度所以就被淘汰了,EDORAM
的基本架構和DRAM非常類似,唯一的差別在於資料輸出的時候稍有不同,在EDO
的設計裡面延長了動作Active節區時間,所以如果我們現在要讀取的位元和下一
個要讀取的位元位於同一個列裡面的話,那麼我們只需要下達一次列位置訊號即
可,這樣子我們就可以在第一個位元的啟動週期尚未結束之前將第二個位元讀取
出來然後兩個一起送出去,EDO的設計僅是用於資料輸出的時候,所以才會稱為
Extended Data Dutput..
EDO存取模式是一連串記憶體存取速度改良模式中的一種,它可以讓微處理器存
取記憶體的速度較快,但是電腦的設計必須是符合EDO存取的設計,例如奔騰等
級的電腦如果使用INTEL Triton晶片組才支援這項EDO規格...