讓你記憶體極速執行！9款DDR延遲最佳化實戰(附:記憶體超頻相關知識和測試軟體大全)

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讓你記憶體極速執行！9款DDR延遲最佳化實戰(附:記憶體超頻相關知識和測試軟體大全)

雖然目前記憶體價格的下調如流星雨般降落在地球上，但是我們真的有必要再花錢去給我們的愛機「補藥」加記憶體嗎？

尤其是大多新購的機器都512M記憶體標準組態， 嚴然是高興.也算按說使用上應該是綽綽有餘了，可是您的機器為什麼跑「天堂II」或「魔獸世界」的時候還有時會發生要頓一頓呢？
其原因值得探討....
以游戲上包裝說明..512M記憶體可是他們的推薦組態啊~~~而目前所謂的優化軟體來執行「記憶體最佳化軟體」一般都是治標不治本，若開啟「天堂II」或「魔獸世界」的話可能連標都不治了。

其實這時真正的原因是記憶體的效能不力的原由,跟優話調整軟體快取..等無關。

既然我們要在家庭裡手動式最佳化記憶體，那麼我們需要瞭解記憶體相關的知識什麼呢？



首先我們要先瞭解影響記憶體效能的幾個參數：說明列出如道來....


一、記憶體工作頻率

1、DDR記憶體既然叫做雙倍速率SDRAM（Dual date rate SDRSM），就是說他是SDRAM的昇級換代產品。從技術上分析，DDR SDRAM最重要的改變是在界面資料傳輸上，其在時鍾信號上升緣與下降緣時各傳輸一次資料，這使得DDR的資料傳輸速率為傳統SDRAM的兩倍。

那麼大家就應該知道了，我們所說的DDR400，DDR333，DDR266，他們的工作頻率其實僅為那些尾數的一半，也就是說DDR400工作頻率為200MHz。

瞭解了這些，有助於我們接下面來更改DDR的記憶體設定。

2、工具測試法，我們可以使用一些工具來測試我們的記憶體的頻率，如SISSOFT SANDRA2005，他們可以很簡單的將您記憶體的工作頻率顯示出來，比較方便嘍...

3、小編能告訴您的是，記憶體的工作頻率的修改將最大程度上的影響您記憶體的效能，但是超頻的前提——散熱和紮實的硬體知識是必不可少的，而根據不同機器其他配件的優良程度，超頻將是一個非常不穩定且危險係數極大的工作，那麼我們的最佳化可能將為我們機器的今後的使用留下很多的隱患，最佳化後的烤機和測試的工作量也將非常巨大，看來普通家庭對記憶體的最佳化還是要另覓他路哦。

二、記憶體工作電壓


目前我們接觸最多的DDR記憶體電壓是2.5V、2.6V和2.8V，當然隨著電壓的提高，效能也就提高了。

雖然很多主機板的BIOS都提供了記憶體電壓的調節選項，但在家庭中由於散熱和技術能力的約束，個人修改電壓的方法成為了既困難又危險的事情，所以我們暫不考慮他。
三、記憶體延遲參數。


什麼是記憶體延遲呢?

記憶體延遲基本上可以解釋成是系統進入資料進行存取操作就緒狀態前等待記憶體回應的時間。

打個形象的比喻，就像你在餐館裡用餐的程序一樣。你首先要點菜，然後就等待服務員給你上菜。

同樣的道理，記憶體延遲時間設定的越短，電腦從記憶體中讀取資料的速度也就越快，進而電腦其他的效能也就越高。


這條規則雙雙適用於關於英特爾以及AMD處理器的系統中。

由於沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際記憶體標準組織認為以現在的動態記憶體技術還無法實現0或者1的延遲。


通常情況下，我們用4個連著的阿拉伯數位來表示一個記憶體延遲，例如2-2-2-5。

其中，第一個數位最為重要，它表示的是CAS Latency,也就是記憶體存取資料所需的延遲時間。第二個數位表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數位分別表示的是RAS預充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數位一般而言是它們中間最大的一個。



如圖所顯示，我們可以看到Crucial DDR333記憶體的延遲圖表。通過這張圖表，我們可以看出延遲數位所表示的含義。

以最上面的CL=2的記憶體為例，圖中分別有CAS2，CAS2.5以及CAS3三種延時。注意垂直的虛線，它表示的是時鍾信號的上升沿或下降沿。由於這是一款DDR記憶體，因此，一個時鍾週期內含有兩個點。
CAS latency是註冊讀取指令到第一個輸出資料之間的延遲。CAS latency的服務機構是時鍾週期。
一塊延遲設定為2-2-2-5的DDR記憶體，其效能要高出延遲為3-4-4-8的DIMM。


這是因為前者接收到一條指令，找回資料以及送回資料的延遲要比後者要短。
體現在BIOS設定裡，還有很多相關的選項：



在BIOS主界面的 Advanced Chipset Features 選項子界面中大家可以看到：

SDRAM Frequency

Configure SDRAM Timing by SPD

SDRAM CAS# Latency 簡稱CL

SDRAM RAS# Precharge 簡稱TRP

SDRAM RAS# to CAS# Delay 簡稱TRCD

SDRAM Precharge Delay 簡稱TRAS

SDRAM Burst Length 簡稱BL


具體在選項的描述上可能有差異，更多詳細請參考附錄1。


其實記憶體延遲的調節一定意義上也是超頻的一種手段，但是它是在最低危險程度下根據記憶體的自身條件做出的調節，也就是說，在記憶體的反應程度上調節記憶體的工作的狀態，叫它少休息，多工作，所以長期調整記憶體延遲對記憶體本身還有一定傷害的。



事先聲明，並非延遲越小記憶體效能越高，因為CL-TRP-TRCD-TRAS這四個數值是配合使用的，相互影響的程度非常大，並且也不是數值最大時其效能也最差，那麼更加合理的配比參數成為了我們至關重要的一個環節。



本著DIY精神並以面向廣大消費者為目的，我們今天拿來了目前石家莊市場上9大品牌的DDR400 256MB記憶體和大家協同實戰，包括：Kingston 金士頓、TwinMOS 勤茂、HY 現代、LEADRAM 超勝、Apacer 宇瞻、V-DATA 威剛、GIGARAM 光電、Kingstek 金士泰、Geil 金邦，足夠囊括您的記憶體在內，您也可以參考我們的測試結果合理設計您自己的最佳化測試，以達到最好的效果。
我們當然不推薦「順手主義」，記憶體的具體效能還是由記憶體個體來決定的，請不要在未經過測試就輕易照抄參數直接使用，
或你不是硬體有見識,操毀壞掉記憶體,小心您的記憶體吃不消哦。
還好縣記憶體多是全保固,只要不是人毀的痕跡....

現看看我們的記憶體全家福：




Kingston 金士頓 DDR400 256MB

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TwinMOS 勤茂 DDR400 256MB











HY 現代 BT-D43 DDR400 256MB













LEADRAM 超勝 BT-D43 DDR400 256MB








Apacer 宇瞻 DDR400 256MB












V-DATA 威剛 DDR400 256MB










GIGARAM 光電 DDR400 256MB




















Kingstek 金士泰 DDR400 256MB








Geil 金邦 DDR400 256MB





我們今天的主角就是記憶體延遲，馬上開始我們的最佳化實戰吧！
一、最佳化方法：
最佳化前的設定準備：
本次最佳化主要在於考察記憶體延遲對記憶體效能的影響，也比較適合家庭。 請您事先驗證並記錄您的BIOS設定（最好將重要選項記錄在一張紙上比較方便），再進去入BIOS設定選項Load Optimized Defaults，將您的BIOS設定恢復為預設的工廠設定值，再修改相關參數進行最佳化測試。如果造成機器啟動失敗，那就把BIOS清除一下，選項Load Optimized Defaults就可以恢復到修改參數前的狀態了。
既然我們要考察記憶體延遲，所以不能讓其他選項干擾到測試的結果，上面的工作也是為了這個目的，另外還請保持您BIOS中除CL-TRP-TRCD-TRAS以外的值在測試中每一次更改參數時為統一，尤其是下面兩個主要參數請依情況設定成固定值。
1）SDRAM Frequency 選項請設定為AUTO
2）對於非雙通道系統的用戶請驗證您的Burst Length（BL）保持設定為8，而雙通道系統的用戶則應該設定為4。
軟體準備：
本次實戰使用的軟體為：
1）PCMARK04 我們用它的記憶體測試模組，得分越高越好。
2）SISSOFT SANDRA2005 用它來測試記憶體的傳輸帶寬，數值越大越好。
3）QUAKE3 Arena DEMO 1.09 測試的是遊戲當中的FPS值，這也是廣大遊戲愛好者最關心的部分，FPS越高表示遊戲顯示幅度越快，當然表現越流暢。
4）EVEREST(AIDA32) Home V2.00.327 Beta 這個是個老牌軟體，它的記憶體測試部分可以對記憶體讀取，記憶體寫入，記憶體潛伏期進行測試，潛伏期的時間當然越小越好（別光潛伏著，出來幹活啊），而讀取和寫入的速度也是記憶體效能的重要參數，越快表示效能越好。
5）Super Pi V1.1是一款計算圓周率的軟體，它對記憶體和CPU方面極為敏感，計算固定位數的圓周率當然時間越短才越快。
6）Sciencemark v2.0 也是一款老牌測試軟體，它的記憶體檢測部分可以給我們的記憶體一個全面的評價，我們這裡使用的是記憶體帶寬的數值，越寬表示越快嘍。
7）Windows Media Encoder V9.0 是PCPCMARK04需要的輔助軟體。
具體軟體下載及使用方法請參考附錄2。



最佳化步驟：


1）將Configure SDRAM Timing by SPD 選項設定為 Enabled，這樣記憶體延遲的設定由記憶體的SPD自動設定。



2）按照CL-TRP-TRCD-TRAS的順序依次將數值設定為2.5-3-3-6、2-3-3-6、2-4-4-8、2.5-4-4-8、3-4-4-8。（若您有興趣並且您的主機板還提供更多的數值選項，您可以做更多的測試）
我們本次實戰的機器組態非常簡單：
主機板：磐英 865P
CPU：P4 3.0GE
硬碟：日立 80G
顯示卡：小影霸 9550 128Bit 128M
測試使用的是雙通道，所以我們的BL值統一設定為4。
實戰一：SPD
當我們設定成SPD時，記憶體的工作參數是按照記憶體上的SPD晶片內的設定。也就是我們平時使用時，在沒有人工調節參數的情況下預設的設定（當然也是您實戰前的狀態了）。

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由上面的成績大家可以看出，在Quake3的測試中，金士頓和超勝的成績比較突出，也就是說在SPD的設定下記憶體效能能夠得到不錯的發揮，而在SISSOFT SANDRA2005的測試中宇瞻另人滿意。光電記憶體在幾次帶寬測試中異軍突起，數值遙遙領先，但是記憶體潛伏期等延遲相關測試中成績不佳。綜合起來，光電記憶體的帶寬方面相當優秀，但延遲方面卻跟不上來，造成綜合效能的缺憾。而金士頓、宇瞻綜合效能最優，成績不錯且相當穩定，表現了大牌的風範。金邦記憶體本次成績讓人跌破眼鏡，帶寬和延遲方面都有很大問題。擁有BT-D43的超勝記憶體成績較其他產品略好一些，相反傳說中擁有BT-D43的現代記憶體並沒有出色的表現，和其他產品一樣，從成績上來看相差無幾。

實戰二：2.5-3-3-6















在2.5-3-3-6的測試中，我們很明顯的看到了變化，威剛、勤茂、宇瞻、金士泰的成績非常突出，在多項測試中帶寬和延遲方面的結果都是最好的。其他產品的結果比較相近，最可惜的是光電，在本次測試中沒能正常啟動電腦，原因可能是CL-TRP-TRCD-TRAS這四項數值配比出現問題。
實戰三：2-3-3-6

























在2-3-3-6也就是本次最低延遲設定的測試中，金士頓、現代、超勝表現最好，各項效能測試全都一致的保持良好狀態，看來BT-D43的顆粒果然非同凡響啊。最無奈，光電還是沒有能夠順利啟動電腦。這個測試也驗證了參數配比的重要性，雖然我們僅僅將CL的值降低了0.5，但沒有我們想像中威剛、勤茂、宇瞻、金士泰依然最優秀，而是相反的成績不佳，所以我們需要更多的測試，找到效果更好的參數配比。
實戰四：2-4-4-8

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這次測試中，我們不難看出，超勝、現代、金士頓、光電是成績最好的，尤其是光電一掃原先帶寬和延遲成績反比的現象，結果上做到了統一，這也是參數配比的神奇之處。而最重要的是本次測試中成績差異非常大，多項結果中前面的四個品牌的成績和其他產品的結果有非常明顯的距離。
實戰五：2.5-4-4-8





















在2.5-4-4-8的測試中，最後的結果體現出一個巨大的問題，在較高延遲下，一向成績不錯的現代、超勝、金士頓竟然不敵其他產品，而勤茂、宇瞻、威剛等產品表現出了對這個設定的適應，這也是延遲對記憶體效能巨大影響的很好證明。當然2.5-4-4-8的參數配比對一些產品是不恰當的設定，小編也重點提示：不同品牌和不同記憶體個體是我們設定參數的一個重要基礎，並非簡單的按照品牌來分類，大家一定要注意。
實戰六：3-4-4-8

















這是我們最後一個參數配比的測試，也是本次延遲最高的設定，這次測試的重點在於證明記憶體對延遲參數的敏感性。從結果上大家不難看出，除金邦、金士頓、超勝、現代以外的產品都無法正常啟動電腦，這並非記憶體條的品質問題，而是當延遲設定較大時，記憶體的充電和收發資料時間的不配合，形象的比喻，您在餐廳時，
剛點菜的時間過長，服務員可能無法一直等你點下去，而這時別的餐桌的客人將服務員叫走了，當你又要點菜時，服務員卻在給別的桌子的點菜，這樣一來二去好不容易你點完菜了，飯店下班了（這不禁讓祥子想起《一聲歎息》裡的名言，開始有賊心沒賊膽，後來有賊膽沒賊心，等賊心賊膽都有了，賊沒了）。 而金邦、金士頓、超勝、現代本次測試的結果幾乎平行，有些項目的結果也不比前幾次差，我想您一定明白小編要對您說什麼了吧。
結果總結：
經過這麼多次的最佳化測試，大家應該可以看出了幾個重要的問題：
1）並非所有的延遲設定電腦都能正常啟動。
2）延遲設定最短或最長，其結果也並非最快或最慢。
3）不同品牌的記憶體在延遲設定上的有差異，不能通用。
4）參數的配比和效能並不成比例。
5）還有一點，記憶體的個體差異將直接影響到測試和最佳化的結果，您的記憶體也需要一身屬於自己的戰甲。
也許您還能看出更多的問題，所以大量的測試和合理的分析結果將給您的記憶體效能帶來巨大的提高。而有些主機板上在記憶體延遲方面還提供了更多的BIOS選項，您也可以按照您BIOS的情況安排自己的參數配比來進行最佳化測試。
評獎：
最佳性價比獎：金士頓



編輯推薦獎：超勝


最具潛力獎：光電



附錄1：(記憶體超頻的相關知識和設定)
一：關於記憶體超頻與設定的基礎知識

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在我們進行記憶體的選購之前，我們要對影響記憶體效能的一些基本知識進行一個瞭解，下面這十點，使筆者通過反覆論證得到的結果，請大家務必瞭解。
1、對記憶體的最佳化要從系統整體出發，不要局限於記憶體模組或記憶體晶片本身的參數，而忽略了記憶體子系統的其他要素。


2、目前的晶片組都具備多頁面管理的能力，所以如果可能，請盡量選項雙 P-Bank 的記憶體模組以增加系統記憶體的頁面數量。


但怎麼分辨是單 P-Bank 還是雙 P-Bank 呢？就目前市場上的產品而言 ，256MBB 的模組基本都是單 P-Bank 的，雙面但每面只有 4 顆晶片的也基本上是單 P-Bank 的，512MB 的雙面模組則基本都是雙 P-Bank的。
3、頁面數量的計算公式為： P-Bank 數量 X4，如果是 Pentium4 或 AMD 64 的雙通道平台，則還要除以 2。


比如兩條單面 256MBB 記憶體，就是 2X4=8 個頁面，用在 875 上組成雙通道就成了 4 個頁面。
4、CL、tRCD、tRP 為絕對效能參數，在任何平台下任何時候，都應該是越小越好，調節的最佳化順序是 CL → tRCD → tRP。
5、當記憶體頁面數為 4 時 ，tRAS 設定短一些可能會更好，但最好不要小於 5。



另外，短 tRAS 的記憶體效能相對於長 tRAS 可能會產生更大的波動性，對時鍾頻率的提高也相對敏感。
6、當記憶體頁面數大於或等於 8 時，tRAS 設定長一些會更好。
7、對於 875 和 865 平台，雙通道時頁面數達到 8 或者以上時，記憶體效能更好。


8、對於非雙通道 Pentium4 與 AMD 64 平台，tRAS 長短之間的效能差異要縮小。


9、Pentium4 或 AMD 64 的雙通道平台下 ，BL=4 大多數情況下是更好的選項，其他情況下 BL=8 可能是更好的選項，請根據自己的實際套用有針對的調整。



10、適當加大記憶體重新整理率可以提高記憶體的工作效率，但也可能降低記憶體的穩定性。
二、BIOS中記憶體相關參數的設定要領
Automatic Configuration「自動設定」（可能的選項：On/ Off或Enable/Disable）
可能出現的其他描述為：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手動調整你的記憶體時序，你應該關閉它，之後會自動出現詳細的時序參數列表。
Bank Interleaving（可能的選項：Off/Auto/2/4）
這裡的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的記憶體晶片都是由4個L-Bank所組成，為了最大限度減少尋址衝突，提高效率，建議設為4（Auto也可以，它是根據SPD中的L-Bank訊息來自動設定的）。
Burst Length「突發長度」（可能的選項：4/8）
一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平台，建議設為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平台，建議設為4。但具體的情況要視具體的套用而定。
CAS Latency 「列位址選通脈衝潛伏期」（可能的選項：1.5/2/2.5/3）
BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。


Command Rate「首指令延遲」（可能的選項：1/2）
這個選項目前已經非常少見，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR記憶體的尋址，先要進行P-Bank的選項（通過DIMM上CS片選信號進行），然後才是L-Bank/行啟動與列位址的選項。這個參數的含義就是指在P-Bank選項完之後多少時間可以發出具體的尋址的L-Bank/行啟動指令，服務機構是時鍾週期。顯然，也是越短越好。但當隨著主機板上記憶體模組的增多，控制晶片組的負載也隨之增加，過短的指令間隔可能會影響穩定性。因此當你的記憶體插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長 。目前的大部分主機板都會自動設定這個參數，而從上文的ScienceMark 2.0測試中，大家也能察覺到容量與延遲之間的關係。
RAS Precharge Time 「行預充電時間」（可能的選項：2/3/4）
BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。

RAS-to-CAS Delay「行尋址至列尋址延遲時間」（可能的選項：2/3/4/5）
BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。
Active to Precharge Delay「行有效至行預充電時間」（可能的選項：1……5/6/7……15）
BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根據上文的分析，這個參數要根據實際情況而定，具體設定思法見上文，並不是說越大或越小就越好。
三、
認清影響記憶體效能的關鍵



在講完 SDRAM 的基本工作原理和主要操作之後，我們現在要重要分析一下 SDRAM 的時序與效能之間的關係，它不再局限於晶片本身，而是要從整體的記憶體系統去分析。

這也是廣大 DIYer 所關心的話題。比如 CL 值對效能的影響有多大幾乎是每個記憶體論壇都會有討論，今天我們就詳細探討一下。


這裡需要強調一點，對於記憶體系統整體而言，一次記憶體訪問就是對一個頁 （Page）的訪問。由於在 P-Bank 中，每個晶片的尋址都是一樣的，所以可以將頁訪問「濃縮」等效為對每晶片中指定行的訪問，這樣可能比較好理解。但為了與官方標準統一，在下文中會經常用頁來描述相關的內容，請讀者注意理解。
可能很多人還不清楚頁的概念，在這裡有必要先講一講。從狹義上講，記憶體晶片晶片中每個 L-Bank 中的行就是頁，即一行為一頁。

但從廣義上說，頁是從整體角度講的，這個整體就是記憶體子系統。
對於記憶體模組，與之進行資料交換的服務機構就是 P-Bank 的位寬。


由於目前還沒有一種記憶體晶片是 64bit 位寬的，所以就必須要用多個晶片的位寬來整合一個 P-Bank。如我們現在一般的記憶體晶片是 8bit 位寬的，那麼就需要 8 顆晶片組成一個 P-Bank 才能使系統正常工作。而 CPU 對記憶體的尋址，一次就是一個 P-Bank，P-Bank 內的所有晶片同時工作，這樣對 P-Bank 內所有的晶片的尋址都是相同的。比如尋址指令是 B1、C2、R6，那麼該 P-Bnak 內的晶片的工作狀態都是開啟 B1 的 L-Bank 的第 C2 行。
好了，所謂廣義上的頁就是指 P-Bank 所包括的晶片內相同 L-Bank 內的相同工作行的總集合 。


頁容量對於記憶體子系統而言是一個很重要的指標。這個參數取決於晶片的容量與位寬的設計。由於與本文的關係不大，就不具體舉例了。
早期 Intel 845 晶片組 MCH 的資料：它可以支持 2、4、8、16KB 的頁容量
總之，我們要知道，由於尋址對同一 L-Bank 內行位址的單一性，所以一個 L-Bank 在同一時間只能開啟一個頁面，一個具有 4 個 L-Bank 的記憶體晶片，可以開啟 4 個頁面。這樣，以這種晶片組成的 P-Bank，也就最後具備了 4 個頁面，這是目前 DDR SDRAM 記憶體模中每個 P-Bank 的頁面最大值。

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1、影響效能的主要時序參數


在講完記憶體的基本操作流程與相關的 tRP、tRCD、CL、BL 之後，我們就開始深入分析這些參數對記憶體效能的影響。所謂的影響效能是並不是指 SDRAM 的帶寬，頻率與位寬固定後，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在記憶體的工作週期內，不可能總處於資料傳輸的狀態，因為要有指令、尋址等必要的程序。但這些操作佔用的時間越短，記憶體工作的效率越高，效能也就越好。
非資料傳輸時間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。

通過上文的講述，大家應該很明顯看出有三個參數對記憶體的效能影響至關重要，它們是 tRCD、CL 和 tRP。按照規定，每條正規的記憶體模組都應該在標幟上註明這三個參數值，可見它們對效能的敏感性。
以記憶體最主要的操作——讀取為例。tRCD 決定了行尋址（有效）至列尋址（讀 / 寫指令）之間的間隔 ，CL 決定了列尋址到資料進行真正被讀取所花費的時間，tRP 則決定了相同 L-Bank 中不同工作行轉換的速度。現在可以想像一下對某一頁面進行讀取時可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時不用考慮 CL 即可）：
1、要尋址的行與 L-Bank 是空閒的。也就是說該 L-Bank 的所有行是關閉的，此時可直接傳送行有效指令，資料讀取前的總耗時為 tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁命中 （PH，Page Hit）。

2、要尋址的行正好是現有的工作行，也就是說要尋址的行已經處於選通有效狀態，此時可直接傳送列尋址指令，資料讀取前的總耗時僅為 CL，這就是所謂的背靠背 （Back to Back）尋址，我們稱之為頁快速命中（PFH，Page Fast Hit）或頁直接命中（PDH，Page Direct Hit）。

3、要尋址的行所在的 L-Bank 中已經有一個行處於活動狀態（未關閉），這種現象就被稱作尋址衝突，此時就必須要進行預充電來關閉工作行，再對新行傳送行有效指令。結果，總耗時就是 tRP+tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁錯失 （PM，Page Miss）。
顯然，PFH 是最理想的尋址情況，PM 則是最糟糕的尋址情況。



上述三種情況發生的機率各自簡稱為 PHR —— PH Rate、PFHR —— PFH Rate、PMR —— PM Rate。因此，系統設計人員（包括記憶體與北橋晶片）都盡量想提高 PHR 與 PFHR，同時減少 PMR，以達到提高記憶體工作效率的目的。

2、增加 PHR 的方法

顯然，這與預充電管理原則有著直接的關係，目前有兩種方法來盡量提高 PHR。

自動預充電技術就是其中之一，它自動的在每次行操作之後進行預充電，從而減少了日後對同一 L-Bank 不同行尋址時發生衝突的可能性。但是，如果要在當前行工作完成後馬上開啟同一 L-Bank 的另一行工作時，仍然存在 tRP 的延遲。怎麼辦？ 此時就需要 L-Bank 交錯預充電了。
早期非常令人關注的VIA 4路交錯式記憶體控制，就是在一個L-Bank工作時，對另一個L-Bank進行預充電或者尋址（如果要尋址的L-Bank是關閉的)。


這樣，預充電與資料的傳輸交錯執行，當訪問下一個L-Bank時，tRP已過，就可以直接進入行有效狀態了，如果配合得理想,那麼就可以實現無間隔的L-Bank交錯讀/寫（一般的，交錯操作都會用到自動預充電）,這是比PFH更好的情況，但它只出現在後續的資料不在同一頁面的時時候。當時VIA聲稱可以跨P-Bank進行16路記憶體交錯，並以LRU（Least Recently Used，近期最少使用）算法進行 交錯預充電/尋址管理。


L-Bank 交錯自動預充電 / 讀取時序圖： L-Bank 0 與 L-Bank 3 實現了無間隔交錯讀取，避免了 tRP與tRCD對效能的影響 ，是最理想的狀態
3、增加 PFHR 的方法
無論是自動預充電還是交錯工作的方法都無法消除同行（頁面）尋址時tRCD 所帶來的延遲。要解決這個問題，就要盡量讓一個工作行在進行預充電前盡可能多的接收工作指令，以達到背靠背的效果，此時就只剩下 CL 所造成的讀取延遲了（寫入時沒有延遲）。
如何做到這一點呢？這就是北橋晶片的責任了。



現在我們就又接觸到 tRAS 這個參數，在 BIOS 中所設定的 tRAS 是指行有效至預充電的最短週期，在記憶體規範中定義為 tRAS（min），過了這個週期後就可以發出預充電指令。
對於 SDRAM 和 DDR SDRAM 而言，一般是預充電指令至少要在行有效指令 5 個時鍾週期之後發出，最長間隔視晶片而異（目前的 DDR SDRAM 標準一般基本在 70000ns 左右），否則工作行的資料將有丟失掉的危險。那麼這也就意味著一個工作行從有效（選通）開始，可以有 70000ns 的持續工作時間而不用進行預充電。顯然，只要北橋晶片不發出預充電（包括允許自動預充電）的指令，行開啟的狀態就會一直保持。在此期間的對該行的任何讀寫操作也就不會有 tRCD 的延遲。可見，如果北橋晶片在能同時開啟的行（頁）越多，那麼 PFHR 也就越大。需要強調的是，這裡的同時開啟不是指對多行同時尋址（那是不可能的），而是指多行同時處於選通狀態。我們可以看到一些 SDRAM 晶片組的資料中會指出可以同時開啟多少個頁的指標，這可以說是決定其記憶體效能的一個重要因素。
但是，可同時開啟的頁數也是有限制的。從 SDRAM 的尋址原理講，同一L-Bank 中不可能有兩個開啟的行（讀出放大器只能為一行服務），這就限制了可同時開啟的頁面總數。


以 SDRAM 有 4 個 L-Bank，北橋最多支持 8 個 P-Bank（4 條 DIMM）為例，理論上最多只能有 32 個頁面能同時處於開啟的狀態。而如果只有一個 P-Bank，那麼就只剩下 4 個頁面，因為有幾個 L-Bank 才能有同時開啟幾個行而互不干擾 。Intel 845 的 MHC 雖然可以支持 24 個開啟的頁面，那也是指 6 個 P-Bank 的情況下（845MCH 只支持 6 個 P-Bank）。可見 845 已經將同時開啟頁數發揮到了極致。
不過，同時開啟頁數多了，也對存取原則提出了一定的要求。


理論上，要盡量多地使用已開啟的頁來保證最短的延遲週期，只有在資料不存在（讀取時）或頁存滿了（寫入時）再考慮開啟新的指定頁，這也就是變向的連續讀 / 寫。而開啟新頁時就必須要關閉一個開啟的頁，如果此時開啟的頁面已是北橋所支持的最大值但還不到理論極限的話 （如果已經達到極限，就關閉有衝突的L-Bank內的頁面即可），就需要一個取代原則，一般都是用 LRU 算法來進行，這與 VIA 的交錯控制大同小異。

回到正題，雖然 tRAS 代表的是最小的行有效至預充電期限，但一般的，北橋晶片一般都會在這個期限後第一時間發出預充電指令（自動預充電時，會在tRAS之後自動執行預充電指令），只有在與其他操作相衝突時預充電操作才被延後（比如，DDR SDRAM 標準中規定，在讀取指令發出後不能立即發出預充電指令）。因此，tRAS 的長短一直是記憶體最佳化發燒友所爭論的話題，在最近一兩年，由於這個參數在 BIOS 選項中越來越普及，所以也逐漸被用戶所關注。其實，在 SDRAM 時代就沒有對這個參數有刻意的設定，在 DDR SDRAM 的官方組織 JEDEC 的相關標準中，也沒有把其列為必須標明的效能參數 （CL、tRCD、tRP 才是），tRAS 應該是某些主機板廠商炒作出來的，並且在主機板說明書上也註明越短越好。

[psac]

其實，縮小 tRAS 的本意在於，盡量壓縮行開啟狀態下的時間，以減少同 L-Bank 下對其他行進行尋址時的衝突，從記憶體的本身來講，這是完全正確的做法，符合記憶體效能最佳化的原則，但如果放到整體的記憶體系統中，伴隨著主機板晶片組記憶體頁面控制管理能力的提升，這種做法可能就不見得是完全正確的，在下文中我們會繼續分析 tRAS 的不同長短設定對記憶體效能所帶來的影響。


4、BL 長度對效能的影響


從讀 / 寫之間的中斷操作我們又引出了 BL（突發長度）對效能影響的話題。首先，BL 的長短與其套用的領域有著很大關係，下表就是目前三個主要的記憶體套用領域所使用的 BL，這是廠商們經過多年的實踐總結出來的。


BL與相應的工作領域

BL 越長，對於連續的大資料量傳輸很有好處，但是對零散的資料，BL 太長反而會造成總線週期的浪費，雖然能通過一些指令來進行終止，便也佔用了控制資源。


以 P-Bank 位寬 64bit 為例 ，BL=4 時，一個突發操作能傳輸 32 字元的資料，為了滿足 快取 Line 的容量需求，還得多發一次，如果是 BL=8，一次就可以滿足需要，不用再次發出讀取指令。而對於 2KB 的資料 ，BL=4 的設定意味著要每隔 4 個週期傳送新的列位址，並重複 63 次。而對於 BL=256，一次突發就可完成，並且不需要中途再進去行控制，但如果僅傳輸 64 字元，就需要額外的指令來中止 BL=256 的傳輸。而額外的指令越多，越佔用記憶體子系統的控制資源，從而降低總體的控制效率。從這可以看出 BL 對效能的影響因素，這也是為什麼 PC 上的記憶體子系統的 BL 一般為 4 或 8 的原因。
但是不是 8 比 4 好，或者 4 比 8 好呢？並不能統一而論，這在下文會分析到。

到此，大家應該有一些最佳化的眉目了吧。


我們可以先做一下界定，任何情況下，只要數值越小或越大（單一方向），記憶體的效能會越好的參數為 絕對參數 ，而數值越小或越大對效能的影響不固定的參數則為 相對參數。那麼，CL、tRCD、tRP 顯然就是絕對參數，任何情況下減少它們的週期絕對不會錯。而且從上文的分析可以發現 ，從重要性來論，優先最佳化的順序也是 CL → tRCD → tRP，
因為 CL 的遇到的機會最多，tRCD 其次，tRP 如果頁面交錯管理的好，大多不受影響。而 BL、tRAS 等則可以算是相對參數。也正是由於這些相對參數的存在，才使得記憶體最佳化不再那麼簡單。


四、其他相關記憶體的更多BIOS設定


　　想提高記憶體效能的用戶可以參考以下記憶體設定：開機後按Del鍵進入bios 表單，選項
　　 (1)進入"Advanced Chipset Features"下的" System BIOS 快取able "
　　 System BIOS 快取able : 最佳化時應設為Enabled
　　 開啟這個功能可以允許系統在需要的時候將BIOS存放到L2快取裡，比BIOS存放在記憶體更能加快BIOS的
　　 (2) 進入"Advanced Chipset Features"下的"DRAM Clock/Drive Control"(見圖一)具體的設定如下：



　　System Performance : 最佳化時應設為Turbo
　　 系統提供Normal, Fast, Fastest, Turbo四個選項，當用戶選項其中一項後，相關的項目如DRAM Active to CMD等會自動調整，方便用戶調整系統效能。注意，大部分的DDR記憶體在Turbo這樣的設定下都不能穩定工作，這種設定需要很好的記憶體條。如果想要得到最佳效能，那用戶就要購買像三星、Micron這樣的名牌記憶體條。
　　 DRAM Clock : 最佳化時應設為 133 Mhz
　　 系統時鍾循環週期有By SPD/100MHz/133MHz三個選項，用來設定記憶體與CPU外頻同步或異步。



By SPD是讓主機板自動識別PC1600和PC2100的DDR記憶體；100MHz/133MHz就是強制記憶體執行在設定的頻率。當然強制記憶體執行在133MHz是最好的啦（如果採用kt333晶片的支持，記憶體執行在166MHz更加沒問題）。在實際使用中如果用戶想系統工作的更快應該將CPU與記憶體同步採用133 Mhz。
　　 DRAM Timing: 最佳化時應設為Manual
有Manual, SPD兩個選項。 By SPD是讓記憶體自動選項反應時間等參數。



設為手動（Manual），可以調節讀取資料所延遲的時間（SDRAM Cycle Length）和記憶體交錯（Bank Interleave）。
　　 SDRAM Cycle Length : 最佳化時應設為2
　　 DDR SDRAM能夠執行（CL）2或3模式，也就是說它們讀取資料所延遲的時間既可以是兩個時鍾週期或是三個時鍾週期。



當然時鍾週期小，系統執行的速度就快。但當CPU超頻時，低的時鍾週期未必能使用戶的系統長時間穩定執行。
　　 Bank Interleave : 最佳化時應設為4 Bank
　　 系統有None、2 Bank和4 Bank三個選項。


一般設為4 Bank，這是提升VIA晶片組記憶體效能的重要參數，但開啟之後將影響記憶體的超頻能力。


記憶體交錯（memory interleaving）可以讓系統對記憶體的不同bank進行同時存取，而不是持續存取。Bank表示一個SDRAM設備內部的邏輯儲存於庫的數量（現在通常是4個bank）。Interleave是加快記憶體速度的一種技術，舉例來說，將儲存於體的奇數位址和偶數位址部分分開，這樣當前字元被重新整理時，可以不影響下一個字元的訪問。這樣，2或4路交錯技術減少了等待時間，讓記憶體更快,雖然不是2或4倍的速度，但還是快了許多。要購買VIA晶片主機板的朋友，一定要認準有4 Bank interleaving調節的板子再買，沒有它，記憶體效能上可要大打折扣的！
　　DRAM Burst Length : 最佳化時應設為8
　　 要使用這選項必須使用在2001年10月17日以後的bios。



我嘗試設為8和4進行測評，最後選項高分的8。這可能是KT266A晶片與KT266晶片在處理記憶體突發字元長度上不同之處，多數KT266晶片的主機板BIOS上是沒有這個選項。
　　 DRAM PreChrg to Act CMD : 最佳化時應設為2T
　　 DRAM Act to PreChrg CMD: 最佳化時應設為 6T
　　 當設為5T時系統效能沒有明顯的提高。另一方面當長時間把值設為5T會導致資料遺失和硬碟錯誤。切記小心使用！！！！
　　 DRAM Active to CMD : 最佳化時應設為2T
　　 表示記憶體對指令的反應時間，當然2T比3 T要快很多。

[psac]

　　 DRAM Queue Depth : 最佳化時應設為4 Level
　　 DRAM Drive Strength : 最佳化時應設為Auto
　　 DRAM Command Rate : 最佳化時應設為1T
　　 設為1T會得到更好的記憶體效能。但是，1T似乎是個極苛刻的設定，要有品質比較好的記憶體來支持。



　　 DCLK I/O Timing : 最佳化時應設為0ns
　　 Fast R-W Turn Around : 最佳化時應設為Enabled
　　 設為Enabled能開啟記憶體快速讀寫轉換功能
　　 Continuos DRAM Request: 最佳化時應設為Enabled
　　 設為Enabled能開啟記憶體連續請求功能

　　（3）要使系統穩定工作，還必須在 "Frequency/Voltage Control" 設定以下值:

　　 Auto Detect DIMM/PCI Clk ：設為Enabled
　　 CPU Clock ：設為133
　　 CPU Ratio ：設為最穩定的倍頻
　　 取決於CPU在破解倍頻後能提供的最大而且能穩定工作的倍頻。雷鳥、毒龍CPU破解倍頻的方法是用鉛筆把L1上的金點連接起來。

　　 CPU VCore Voltage ：設為1.75
　　 CPU VCore Voltage表示CPU 的核心電壓。在超頻可以支持最高核心電壓 1.85 伏。



當然高核心電壓有利於超頻後的CPU穩定工作，但也會帶來發熱量的增加。
　　 VDIMM Voltage：設為2.60
　　 8KHA+的記憶體電壓是預設2.60伏，比正常記憶體電壓多0.10伏. CPU超頻後為使系統穩定工作用戶可以將記憶體電壓升高0.20 至 0.30 伏。但注意有些品質不好的記憶體在2.80伏下會無法工作。
以上提到的選項在不同主機板上的描述上有差異，並且有些主機板不提供這麼多的選項，請大家注意。


http://bbs.mumayi.net/misc.php?actio...��相關軟體)



軟體下載篇：
由於篇幅有限，我們將所有的下載位址集合到


http://bbs.itsogo.net/read.php?tid=2200&page=1
，內容有本次最佳化測試的所有軟體，不多說了，去下吧，蠻快的哦。
軟體使用篇：
1）EVEREST(AIDA32) Home V2.00.327 Beta
安裝非常簡單，直接解壓縮就可以使用，在它的主界面（圖 1.1）裡我們很容易看到，在左側列表的最下面的一個選項的[效能測試]，點擊它在右側便會顯示出關於記憶體檢測的三個模組，分別是記憶體讀取、記憶體寫入和記憶體潛伏。

圖 1.1
當我們點擊其中任意個時，相應的測試便會開始。並出現如圖 1.2的提示，這個時候請您按照提示等待結果。

圖 1.2
當測試結束，右邊便會出現成績列表（圖 1.3），雖然眼花繚亂，但是很明顯的有一個綠色成績並標明「這台電腦」的是您的成績，其他為參考成績。

圖 1.3

2）PCMARK04
PCMARK04是一個很有名的電腦測試工具，功能全面且專業，我們用到的是它的記憶體測試模組。在它的主界面（圖 2.1）上左側的[Select]按鈕便會出現圖 2.2的視窗。

圖 2.1



圖 2.2
我們只選項其中的Memory Test Suite模組，並驗證。這樣選項後會恢復到主界面（圖 2.3），但細心的您一定能看到，左側Tests中的Memory已經由0 OF 16變為16 OF 16了，也就是說Memory Test Suite下的16個測試項全部選。好的，點擊RunPCMark執行測試。

圖 2.3

測試進行中
測試完成後我們會看到如圖 2.4的界面，下方To Excel按鈕的功能可以將您的測試結果儲存成Excel我的文件（圖 2.5），並且其中記錄這更加詳細的結果。Save As按鈕將為您提供更多的儲存結果的格式。我們點擊Close關閉這個視窗。

圖 2.4

圖 2.5
圖 2.6是我們測試完成後的主界面，右側的Results下的Memory Score後面的數值便是您的最後得分。

圖 2.6
3）Windows Media Encoder V9.0
這是PCPCMARK04需要的輔助軟體。

[psac]

需要先和大家說明，在安裝完QUAKE3 Arena DEMO 後，在它的demoq3（有些版本可能不同）下會有一個叫做q3config.cfg文件，它是QUAKE3的組態文件，執行遊戲時會自動產生，但為了我們的每一次執行都在同一個環境下，我們需要事先移除它。
遊戲執行時按下鍵盤的「~」鍵會進入控制台模式，然後依次輸入指令：
\s_initsound 0
\snd_restart
\timedemo 1
\demo demo001
並再次按下「~」鍵會出現圖 4.2的界面，左邊紅項中是您本次測試的得分，而右邊紅項中是您使用的Quake3的版本號。
最後我們在控制台內輸入\quitEnter鍵就可以結束遊戲了。



圖 4.1

圖 4.2
如此一來，好像操作頗為複雜了點，那麼我們來簡化操作：
在遊戲安裝的目錄下我們建立一個批次處理文件，其內容就按照圖 4.3紅項中的內容的來錄入，但是第一行中q3config.cfg的路徑請換成您遊戲安裝的具體路徑。
這樣我們每次只要執行這個批次處理文件，待測試結束後，同樣按下「~」鍵也會出現圖 4.2的界面，剩下的您就知道該怎麼辦啦......


4）QUAKE3 Arena DEMO 1.09
我們測試時使用的是DEMO版的Quake3，特別注意的是它的版本，最好使用1.07或以上的，因為1.05版本的在測試多場景時會有BUG。




圖 4.3
5）SISSOFT SANDRA2005
SANDRA2005的使用其實也非常簡單。我們只要在它主界面中找到圖 5.1一樣的選項執行它，便會出現它的記憶體測試視窗（圖 5.2）。

圖 5.1

圖 5.2
我們直接點擊

按鈕便會開始我們的測試。測試結束後，上方會出現測試的成績，而下方會有更加詳細的結果，有興趣的可以認真翻閱一下。

6）Sciencemark v2.0
作為一款老牌測試軟體，Sciencemark的記憶體檢測部分可以給我們的記憶體一個全面的評價。



在它的主界面（圖 6.1）我們可以看到紅框所指的按鈕，那就是記憶體測試部分，按下它會出現如圖 6.2的測試界面。

圖 6.1

圖 6.2
點擊Analyze會開始我們的記憶體測試。然後相應的結果會以條狀顯示在相應的標題後面（圖 6.3）。


紅框部分是我們本次取的數值。

圖 6.3
點擊OK結束，大家會發現主界面（圖 6.4）上的顯示出現了變化，當中會有測試詳細的結果。

圖 6.4
不僅如此，我們還可以在Sciencemark v2.0的安裝目錄下看到產生了一個如圖 6.5名字類似的文件，其內容也是測試的詳細結果。

圖 6.5
當然，Sciencemark v2.0也提供給我們參數啟動的方式。我們建立一個主程序的建立捷逕。並按照圖 6.6紅項中在程式名稱後手動式增加-membench的參數。





圖 6.6
下面我們來執行這個建立捷逕。程序啟動後自動開始測試您的記憶體，並出現圖 6.7一樣的結果界面，其中紅框部分是您的得分，但是這回的結果是類似PCMark的分值。祥子認為，這個是一個綜合得分，我們也一樣可以拿它來進行橫向對比。

圖 6.7
7）Super Pi V1.1
Super Pi是一款大家熟知的軟體，它對記憶體效能的敏感度非常高。我們按照下面圖片的順依次開始計算。最終將會出現相應的結果，並將計算出來的圓周率的數值儲存到一個名為pi-data.txt的我的文件中，有興趣可以看一看。

[psac]

記憶體拙見！

發現很多霏友為選購記憶體傷腦筋，面對林立的品牌，不知如何出手！下面就說說個人拙見：）老鳥就見諒了^_^


個人對記憶體品牌的看法：

目前記憶體主流有這些品牌：Kingston金士頓，Kingmax勝創，GEIL金邦，Sunxing三星，ADATA威剛，Apacer宇瞻，Kingbox黑金剛，Hyundai現代，Corsair海盜船等等。這些都是一般用戶裝機用的比較多的，也是渠道比較廣的，較容易買到。其中，金士頓，勝創，金邦為記憶體三大品牌，出貨量一直穩定且較大！


關於記憶體的品質：
記憶體作為PC的主要設備，和硬碟，CPU一樣，價格透明度較高，且市場波動非常大。商家們調侃的上午一價下午一價，是完全有可能的。另外，由於晶片廠商（包快三星，英飛綾，美光，現代四大半導體巨頭還有一些台灣等地的企業，但否則相對在行業影響力沒前者大而廣）得產能，營銷原則等問題，記憶體品牌也理所當然的價格波動非常大，當然其中不乏商家的行為，如假期旺季前囤貨等。由於記憶體透明度較高（新手去電腦城多問幾家商家，價格基本就出來了），記憶體價格上窄人可能性不大，裝機時候商家為了留住顧客，記憶體比進價還便宜個5元10元也不稀奇。

如果商家RP實在一般，為了最大利潤，既然從價格上做文章可能性不大，就令辟門路了，最廣為人知的，就是假條，打磨條。其中的典型就是HY現代記憶體，一直流傳國內HY的記憶體99.9％是打磨條，都是廣州等地山寨廠家庭作坊，拆了舊記憶體顆粒，自己組裝打磨的。
雖然不乏真言，但是也不見得打磨條一無是處。首先，我幫朋友裝機，就遇到過，預算2200大洋，要全新，帶顯示器，鼠鍵，電源供應器，全套主機。這時候，10元的超額都不行，怎麼辦，雖然知道現代條是打磨得，也給用，因為它最便宜（反正商家也提供品質保證，而且不影響使用，我的HY機器就3個月不關機沒事，哈，除非RP問題。）。

個人不推薦新手用打磨條，比如現代（基本肯定的，不是老鳥威望高的JS，拿不到正品HY原產條^哈）金士頓（炒的沸沸揚揚的金士頓50％以上為假條，官方防偽全能做，總代出假條事件，寧可信其有啊，沒把握的新手還是慢慢教學了再接觸的好^。當然金士頓為了自己的品牌價值，打擊假條就沒停止過。）如果電腦用的多，有一定硬體方面能力，這些條未嘗不可，首先能辨別優劣，不至於打磨條都爛的不能開機，總有能過關的，不影響使用，價格便宜，何樂而不為？


關於品牌品質：

一分錢一分貨，這是古人早就總結出來的，非常有道理（個人挺佩服老祖宗們的）。
一個記憶體品牌，特別是大品牌，如金邦，金士頓，威剛等，都有自己的產品線，產品品種多，成系列。
如金邦：千嬉條，定位就是低端（不是說品質，比如外觀，沒有散熱片，價格低，用料，生產能用就好。）
而白金條，定位就是中高端（外觀精美，價格主流偏上，用料，生產上乘。）
威剛：VDATA系列，定位於低端（同樣大品牌，服務好，實用價格較低。）
ADATA系列，定位中高端（外觀精美，用料，生產較VDATA有提高。）

如此等等，還有金士頓的HyperX，同樣也定位高端。可見，定位一個品牌好壞，不能光說品牌如何如何。（本人親身經歷，Kingston和ASUS主機板相容問題，兩個都是行業第一品牌，甚至該記憶體還是ASUS主機板說明書認證，可是用它就是重新啟動顯示藍色，換了黑金剛，英飛綾都沒事。）大品牌也有高中低端產品！想要一流的，就多花銀子買高端，想要品質，就買個夠用的吧！

從品質上講，一個品牌的頂級系列（比如DDR566的ADATA肯定比DDR400的金邦千嬉要好，因為執行頻率較高，所以要布線更清晰合理，顆粒要TCCD等。）
當然，從服務上說，萬一出了問題還是看商家和廠家的關係。買個記憶體廠家在台灣，國內渠道有不完善，品牌在國外再響要換也很麻煩。早兩年為了海盜船的記憶體，因為國內渠道問題，國內用戶買了都沒品質保證（冒險啊^哈），近年才好轉（海盜船進入中國市場，找到大的渠道商代理。）


關於商家推薦：

商家推薦的，一般都是自己渠道的，售後價格都有優勢，只要不是完全沒聽過的品牌，基本都能接受（有疑問的最好驗證下，比如是否打磨，實在擔心就換！），萬一出現問題（電子產品沒人敢保100％不出問題，人這麼精密還生病啊^嘿）更換也不麻煩。



下面是品牌的個人見解：

經一般網游問三星和金士頓哪個好之類的。如下：

1。三星半導體（三星做的東西多了，嚴格的說，不能就說三星，好歹也是子公司或者說部門丫）：
可以說半導體行業的老大，半導體四巨頭之首。產量龐大，主要出晶片。只有品牌三星記憶體近一兩年才大規模在國內上市進入零售市場。（賣個幾百萬片FlashRom晶片給apple做MP3比一次賣幾萬顆給國內小廠同樣做MP3，你說一般它會優先考慮誰？哈）當然三星也有產量不足的時候，比如英特爾出DDR2的時候就說要三星開足馬力大部分生產DDR，結果DDR2普及不如預期，英特爾又要求三星轉產DDR，折騰來折騰去，三星那段事件可苦了（記得我前文說的金士頓和華碩主機板嗎，我買的4條記憶體在04年11月是670大元一條啊，三星產能去做DDR2，結果05年沒多久重新調整產能產DDR，就降價到現在的3XX水準，筆者那個鬱悶啊，哈）
三星既然是半導體大鱷，自然有它的強處，原廠三星金，現在用的多是的UCCC顆粒，都是上乘產品。TCCD顆粒價高的時候DDR600 512M要2700大元一對阿。

2。金士頓：
作為記憶體行業的龍頭（記憶體成品，不是晶片哦^_），品牌實力當然一流。研發，售後，品質，都是值得信任的。雖然樹大招風，導致假貨橫行，但是只要認真選購，問題不大的^。

3。金邦：
在港台，金邦可以說屬於高端品牌，價格較高。一直屬於高端品牌形象。雖然也有低端產品，同樣，品質服務產品線還是一流的。

4。威剛：
近年才在國內打出自己的天地。現在也屬於一線大品牌的了。品質服務都不錯。TCCD顆粒的超頻極品DDR566，被發燒友爭相購買，物超所值。

5。英飛綾：
作為四大半導體公司之一，從西門子獨立出來的英飛綾，自有品牌記憶體同樣被國內玩家視為極品。但是早期因為渠道問題，國內玩家較難購得。近2年才大舉進攻中國。（嗚嗚嗚，取代我的那四條金士頓，買了2條英飛綾，05年初是720RMB一條512M的阿，現在還想想心疼。）品質一流。虎父無犬子，英飛綾這麼強能生產出品質很差的記憶體嘛？哈哈。當然相對其餘主流品牌，價格會略高。

6。勝創：
一直被很多人認為是僅次於金士頓的記憶體第二品牌。近年較少見到渠道商家推薦。不過品質依然不錯，值得購買！

7。宇瞻：
台灣的強勢品牌。本人用過的品質不錯，價格也更容易接受！

8。黑金剛：
新興品牌，貌似野心勃勃。為了打下品牌口碑，黑金剛同樣品質上乘（我用過的至少如此）。而且渠道做的不錯，商家願意推薦它。

9。現代：
本人沒用過原廠條（我相信我用的HY都是打磨條^哈）。原廠條難求，國內所謂HY基本都是打磨條。有幸拿到原廠真品的玩家，應很高興才是。當然作為半導體大廠，顆粒國內還是很多的，比如D43，雖然也有打磨的，不過顧客口碑還是不出。

10。海盜船：
大名鼎鼎的海盜船，走得一直是高端路線，市場定位像汽車中的法拉利——以優秀的超頻能力，一流的生產博得很多玩家的青睞。解決的了渠道問題後，對國內市場信心十足！高端價格較高，中低端和其它品牌無太大差異！

上面是一般的10個品牌。下面就介紹下相對少見的品牌：
*MT美光：
美國公司，半導體行業四巨頭之一，原廠條可遇不可求，屬於行業極品啊^哈（想想過內玩家有的2對DDR2 1000 4 4 4 12 ECC 1G都會傻笑，哈，羨慕啊。）
*G.skill芝奇：
芝奇是台灣的幾個超頻愛好者新增的公司，面向的客戶都是高端的，品牌並不廣為所知，但是一旦知道的，就知道它的優秀！一流的生產，一流的超頻，一流的服務，當然還有一流的價格。（也有稍微價高點的定位低端的型號）國內渠道主要對象發燒友等，故一般城市難以購買。沒聽過的都有。市場口碑很好，產品線很廣。代表超頻玩家的最愛。
*OCZ：
同樣的美國品牌，面向高端用戶和超頻者，產品線還包括高端電源，散熱片等DIY超頻設備。高端用料，高端生產，高端營銷，高端價格還有很遠的購買距離！（讓人詐舌的700W電源，漂亮的蜂窩記憶體散熱片，都是YY的好東西，哈）目前沒有進入國內市場，雖然也能去美國保固修理，但是國內玩的起的人懂得玩的捨得玩的願意玩的，不多。嘿嘿

這3個品牌相對少見，但是有心的也能買到。有需要的高端用戶不妨考慮考慮！

還有些相對少見的品牌，如標星，超勝，邁威，麒侖，創見，勤茂，金士泰，金士剛，金泰克等等。品牌林立。因為是新興品牌，需要市場口碑，相對可靠，有能力的話認證辨別鑒定，也能碰到值得購買的極品。


補充：

超頻：記憶體超頻大家可以考慮，不過一般套用用戶對於效能提升不明顯。至於DDR600等等都是發燒友接觸的。大家謹慎對待，別盲目，多看看網上相關文章，在教學中成長！

散熱：現在流行記憶體散熱片，不排除散熱片的作用，但是一般記憶體沒必要刻意追求，實際散熱片用處不大，使用不當，甚至影響散熱。部分品牌用散熱片純粹為了美觀。需要超頻，如DDR600的BH5顆粒等，可以考慮主動散熱，因為玩的這地步的都是發燒友，都有自己的能力，就不贅述，有興趣可以網路上教學！

品牌：還是那句：一分錢，XXXX，哈哈。選項適合自己的，別盲目聽信網路（槍手橫行啊^^哈）by liuteng007@vip.sina.com一個品牌好壞還是要自己體驗來得踏實，何況有時品牌好壞也有特例。

穩定：電腦要穩定是肯定的。可是PC畢竟是電子產品，就算運輸途中一個小顛簸，都可能導致某PCB內部裂紋，開玩笑說：買電腦是運氣。運氣好才會碰到出問題的機器！（一般買100才有1出問題，這是保守估計^_）
另外，超頻是個人愛好，有時候也是沒辦法，當年超U就是因為高頻太貴，買個便宜的超上去，效能一樣，何樂而不為？至於超頻穩定，超頻後穩定了才算成功的（過SP，PI，遊戲等等）。不過提醒一下，大部分廠商對超頻燒燬是不提供售後的哦！
有個資料。自己看吧