一、看懂記憶體條
我們平常所說的「記憶體」大都是指「記憶體條」。那麼什麼是「記憶體條」呢？一般的「記憶體條」又有哪些類型呢？
1．記憶體條的誕生
當CPU在工作時，需要從硬碟等外部存儲器上讀取資料，但由於硬碟這個「倉庫」太大，加上離CPU也很「遠」，運輸「原料」資料的速度就比較慢，導致CPU的生產效率大打折扣！為了解決這個問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個「小倉庫」—記憶體。
記憶體雖然容量不大，一般只有幾十MB到幾百MB，但中轉速度非常快，如此一來，當CPU需要資料時，事先可以將部分資料存放在記憶體中，以解CPU的燃眉之急。由於記憶體只是一個「中轉倉庫」，因此它並不能用來長時間存儲資料。
2．一般的記憶體條
目前PC中所用的記憶體主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三種類型。
曾經主流—SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）即「同步動態隨機存儲器」。SDRAM記憶體條的兩面都有金手指，是直接插在記憶體條插槽中的，因此這種結構也叫「雙列直插式」，英文名叫「DIMM」。目前絕大部分記憶體條都採用這種「DIMM」結構。
隨著處理器前端總線的不斷提高，SDRAM已經無法滿足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場。
今日主流—DDR SDRAM
DDR SDRAM（簡稱DDR）是採用了DDR（Double Data Rate SDRAM，雙倍資料速度）技術的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時鐘週期內，DDR SDRAM能傳輸兩次資料，而SDRAM只能傳輸一次資料。
從外形上看DDR記憶體條與SDRAM相比差別並不大，它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR記憶體條有184個引腳，金手指中也只有一個缺口，而SDRAM記憶體條是168個引腳，並且有兩個缺口。
根據DDR記憶體條的工作頻率，它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類型：與SDRAM一樣，DDR也是與系統總線頻率同步的，不過因為雙倍資料傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當於266MHz的SDRAM，於是便用DDR266來表示。
小提示：工作頻率表示記憶體所能穩定執行的最大頻率，例如PC133標準的SDRAM的工作頻率為133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對於記憶體而言，頻率越高，其帶寬越大。
除了用工作頻率來標示DDR記憶體條之外，有時也用帶寬值來標示，例如DDR 266的記憶體帶寬為2100MB/ｓ，所以又用PC2100來標示它，於是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：記憶體帶寬也叫「資料傳輸率」，是指服務機構時間內通過記憶體的資料量，通常以GB/ｓ表示。我們用一個簡短的公式來說明記憶體帶寬的計算方法：記憶體帶寬＝工作頻率×位寬/8×ｎ（時鐘脈衝上下沿傳輸係數，DDR的係數為2）。
由於DDR記憶體條價格低廉，效能出色，因此成為今日主流的記憶體產品。
過時的貴族—RDRAM
RDRAM（存儲器總線式動態隨機存儲器）是Rambus公司開發的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時鐘頻率要高得多。
從外觀上來看，RDRAM記憶體條與SDRAM、DDR SDRAM記憶體條有點相似。
從技術上來看，RDRAM是一種比較先進的記憶體，但由於價格高，在市場上普及不是很實際。如今的RDRAM已經退出了普通桌上型市場。
3．記憶體的封裝
目前記憶體的封裝方式主要有TSOP、BGA、CSP等三種，封裝方式也影響著記憶體條的效能優劣。
TSOP封裝：TOSP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝）的一個典型特點就是在封裝晶片的周圍做出很多引腳。TSOP封裝操作方便，可靠性比較高，是目前的主流封裝方式。
BGA封裝：BGA叫做「球柵陣列封裝」，其最大的特點就是晶片的引腳數目增多了，組裝成品率提高了。採用BGA封裝可以使記憶體在體積不變的情況下將記憶體容量提高兩到三倍，與TSOP相比，它具有更小的體積、更好的散熱效能和電效能。
CSP封裝：CSP（Chip Scale Package，晶片級封裝）作為新一代封裝方式，其效能又有了很大的提高。ＣＳＰ封裝不但體積小，同時也更薄，更能提高記憶體晶片長時間執行的可靠性，晶片速度也隨之得到大幅度的提高。目前該封裝方式主要用於高頻DDR記憶體。
二、記憶體強檔
要進一步瞭解記憶體，以下的內容一定不能錯過。其中記憶體的時鐘週期、存取時間和CAS延遲時間是衡量記憶體效能比較直接的重要參數，它們都可以在主機板BIOS中設定，這個問題將在以後介紹BIOS的時候詳細闡述。
1．時鐘週期（TCK）
TCK是「Clock Cycle Time」的縮寫，即記憶體時鐘週期。它代表了記憶體可以執行的最大工作頻率，數位越小說明記憶體所能執行的頻率就越高。時鐘週期與記憶體的工作頻率是成倒數的，即TCK＝1/F。比如一塊標有「－10」字樣的記憶體晶片，「－10」表示它的執行時鐘週期為10ns，即可以在100MHz的頻率下正常工作。
2．存取時間（TAC）
TAC（Access Time From CLK）表示「存取時間」。與時鐘週期不同，TAC僅僅代表訪問資料所需要的時間。如一塊標有「－7J」字樣的記憶體晶片說明該記憶體條的存取時間是7ns。存取時間越短，則該記憶體條的效能越好，比如說兩根記憶體條都工作在133MHz下，其中一根的存取時間為6ns，另外一根是7ns，則前者的速度要好於後者。
3．CAS延遲時間（CL）
CL（CAS Latency）是記憶體效能的一個重要指標，它是記憶體縱向位址脈衝的反應時間。當電腦需要向記憶體讀取資料時，在實際讀取之前一般都有一個「緩衝期」，而「緩衝期」的時間長度，就是這個CL了。記憶體的CL值越低越好，因此，縮短CAS的週期有助於加快記憶體在同一頻率下的工作速度。
4．奇偶校驗（ECC）
記憶體是一種資料中轉「倉庫」，而在頻繁的中轉程序中，一旦搞錯了資料怎麼辦？而ECC就是一種資料檢驗機制。ECC不僅能夠判斷資料的正確性，還能糾正大多數錯誤。普通PC中一般不用這種記憶體，它們一般套用在高端的伺服器電腦中。
目前市場上主流的記憶體有SDRAM和DDR SDRAM，記憶體條品牌主要有金士頓、三星、宇瞻、富豪、現代等等。