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舊 2004-07-11, 12:22 AM   #4 (permalink)
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六種記憶體異常故障排除法
 當啟動電腦、執行操作系統或應用軟體的時候、常常會因為記憶體出現異常而導致操作失敗。

筆者使用電腦多年,總結了一些記憶體出現異常的原因,並給出以下幾種處理方法,希望可以給大家一些借鑒。

  故障一:記憶體條與主機板插槽接觸不良、記憶體控制器出現故障表現為:開啟主機電源後螢幕顯示「Error:Unable to ControlA20 Line」出錯資訊後當機。

  解決方法:仔細檢查記憶體條是否與插槽保持良好接觸或更換記憶體條。

  故障二:自我檢驗通過。在DOS狀態下執行應用程式因佔用的記憶體位址衝突,而導致記憶體分配錯誤,螢幕出現「Memory A11ocationError」的提示。

  解決方法:因Confis.sys文件中沒有用Himem.sys、Emm386.exe等記憶體管理文件設定Xms.ems記憶體或者設定不當,使得系統僅能使用640KB基本記憶體,執行的程序稍大便出現「Out of Memory」(記憶體不足)的提示,無法操作。


這些現象均屬軟故障,編寫好系統配置文件Config.sys後重新啟動系統即可。

  故障三:Windows系統中執行的應用程式非法訪問記憶體、記憶體中駐留了太多應用程式、活動視窗開啟太多、應用程式相關配置文件不合理等原因均能導致螢幕出現許多有關記憶體出錯的資訊。

  解決方法:此類故障必須採用清除記憶體駐留程序、減少活動視窗、調整配置文件(INI),重裝系統和應用程式等辦法來處理。

  故障四:Windows系統中執行DOS狀態下的應用軟體(如DOS下執行的遊戲軟體等)時,因軟體之間分配、佔用記憶體衝突出現無顯示、螢幕花掉、當機現象。

  解決辦法:退出Windows系統,進入DOS狀態,再執行應用程式。

  故障五:程序有病毒,病毒程序駐留記憶體、CMOS參數中記憶體值的大小被病毒修改,將導致記憶體值與記憶體條實際記憶體大小不符、記憶體工作異常等現象。

  解決辦法:採用殺毒軟體消除病毒;CMOS中參數被病毒修改,先將CMOS短接放電,重新啟動機器,進入CMOS後仔細檢查各項硬體參數,正確設定有關記憶體的參數值。

  故障六:電腦昇級進行記憶體擴充,選項了與主機板不相容的記憶體條。

  解決方法:首先昇級主機板的BIOS,看看是否能解決問題,如果仍無濟於事,就只好更換記憶體條了。


在BIOS中最佳化記憶體的方法

記憶體在電腦中的重要性和地位僅次於CPU,其品質的優劣對電腦效能有至關重要的影響。為充分發揮記憶體的潛能,必須在BIOS設定中對與記憶體有關的參數進行調整。


下面針對稍老一點的支持Intel PentiumⅢ、CeleronⅡ處理器的Intel 815E/815EP晶片組主機板、VIA(威盛)694X晶片組主機板和支持AMD Thunder bird(雷鳥)、Duron(鑽龍)處理器的VIA KT133/133A晶片組主機板,介紹如何在最一般的Award BIOS 6.0中最佳化記憶體設定。


對於使用較早晶片組的主機板和低版本的Award BIOS,其記憶體設定項相對要少一些,但本文所介紹的設定方法同樣是適用的。
點ntel 815E/815EP晶片組主機板

礎b這類主機板BIOS的Advanced Chipset Features(進階晶片組特性)設定頁面中一般包含以下記憶體設定項:

壘et SDRAM Timing By SPD(根據SPD確定記憶體時序)

  可選項:Disabled,Enabled。

  SPD(Serial Presence Detect )是記憶體條上一個很小的晶片,它存儲了記憶體條的工作參數資訊。如果使用優質的品牌記憶體,則可以將DRAM Timing By SPD設定成Enabled,此時,就無需對下面介紹的BIOS記憶體參數進行設定了,系統會自動根據SPD中的資料確定記憶體的執行參數。



有些相容記憶體的SPD是空的或者感覺某些品牌記憶體的SPD參數比較保守,想充分挖掘其潛能,則可以將該參數設定成Disabled,這時,就可以對以下的記憶體參數進行調整了。

壘DRAM CAS Latency Time(記憶體CAS延遲時間)

  可選項:2,3。

  記憶體CAS(Column Address Strobe,列位址選通脈衝)延遲時間控制SDRAM記憶體接收到一條資料讀取指令後要等待多少個時鐘週期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在一次記憶體突發傳送程序中完成第一部分傳送所需要的時鐘週期數。

這個參數越小,則記憶體的速度越快。


在133MHz頻率下,品質一般的相容記憶體大多只能在CAS=3下執行,在CAS=2下執行會使系統不穩定、丟失資料甚至無法啟動。CAS延遲時間是一個非常重要的記憶體參數,對電腦效能的影響比較大,Intel與VIA就PC133記憶體規範的分歧也與此參數有關,Intel認為PC133記憶體應能穩定執行於133MHz頻率、CAS=2下,而VIA認為PC133記憶體能穩定執行於133MHz頻率即可,並未特別指定CAS值,因此Intel的規範更加嚴格,一般只有品牌記憶體才能夠滿足此規範,所以大家感覺Intel的主機板比較挑記憶體。

SDRAM Cycle Time Tras/Trc(記憶體Tras/Trc時鐘週期)

  可選項:5/7,7/9。

  該參數用於確定SDRAM記憶體行啟動時間和行週期時間的時鐘週期數。Tras代表SDRAM行啟動時間(Row Active Time),它是為進行資料傳輸而開啟行單元所需要的時鐘週期數。Trc代表SDRAM行週期時間(Row Cycle Time),它是包括行單元開啟和行單元重新整理在內的整個程序所需要的時鐘週期數。


出於最佳效能考慮可將該參數設為5/7,這時記憶體的速度較快,但有可能出現因行單元開啟時間不足而影響資料傳輸的情況,在SDRAM記憶體的工作頻率高於100MHz時尤其是這樣,即使是品牌記憶體大多也承受不了如此苛刻的設定。

壘DRAM RAS-TO-CAS Delay(記憶體行位址傳輸到列位址的延遲時間)

  可選項:2,3。

  該參數可以控制SDRAM行位址選通脈衝(RAS,Row Address Strobe)信號與列位址選通脈衝信號之間的延遲。對SDRAM進行讀、寫或重新整理操作時,需要在這兩種脈衝信號之間插入延遲時鐘週期。

出於最佳效能考慮可將該參數設為2,如果系統無法穩定執行則可將該參數設為3。

壘DRAM RAS Precharge Time(記憶體行位址選通脈衝預充電時間)

  可選項:2,3。

  該參數可以控制在進行SDRAM重新整理操作之前行位址選通脈衝預充電所需要的時鐘週期數。將預充電時間設為2可以提高SDRAM的效能,但是如果2個時鐘週期的預充電時間不足,則SDRAM會因無法正常完成重新整理操作而不能保持資料。

鼾emory Hole At 15M-16M(位於15M∼16M的記憶體保留區)

  可選項: Disabled,Enabled。

  一些特殊的ISA擴充卡的正常工作需要使用位於15M∼16M的記憶體區域,該參數設為Enabled就將該記憶體區域保留給此類ISA擴充卡使用。

由於PC』99規範已不再支持ISA擴展槽,所以新型的主機板一般都沒有ISA插槽,因而應將該參數設為Disabled。

壘ystem Memory Frequency(系統記憶體頻率)

  可選項:AUTO、100MHz、133MHz。

  此項設定實現記憶體異步執行管理功能。AUTO:根據記憶體的特性自動設定記憶體的工作頻率;100MHz:將記憶體強制設定在100MHz頻率下工作;133MHz:將記憶體強制設定在133MHz頻率下工作。

鼾emory Parity/ECC Check(記憶體奇偶/ECC校驗)

  可選項:Disabled,Enabled。

  如果系統使用了ECC記憶體,可以將該參數設為Enabled,否則一定要將該參數設成Disabled。ECC表示差錯校驗和糾正(Error Checking and Correction)一般是高階伺服器記憶體條所具備的功能,這種記憶體條有實現ECC功能的記憶體顆粒,使系統能夠檢測並糾正記憶體中的一位資料差錯或者是檢測出兩位資料差錯。


ECC功能可以提高資料的完整性和系統的穩定性,這對伺服器尤其重要,但ECC會造成一定的效能損失。


VIA晶片組主機板

  VIA晶片組主機板一般比Intel晶片組主機板記憶體設定選項要豐富一些,在這類主機板BIOS的Advanced Chipset Features(進階晶片組特性)設定頁面中一般包含以下記憶體設定項:

鮫ank 0/1、2/3、4/5 DRAM Timing(記憶體速度設定)

  可選項:Turbo(高速),Fast(快速),Medium(中等),Normal(正常),SDRAM 8/10 ns。

  該選項用於設定記憶體的速度,對於SDRAM記憶體條,設定為SDRAM 8/10 ns即可。

壘DRAM Clock(記憶體時鐘頻率)

  可選項:HOST CLK,HCLK+33M(或HCLK-33M)。

  該參數設定記憶體的異步執行模式。HOST CLK表示記憶體執行頻率等於系統的外頻,HCLK+33M表示記憶體執行頻率等於系統外頻再加上33MHz,HCLK-33M表示記憶體執行頻率等於系統外頻減去33MHz。


如PentiumⅢ 800EB時,BIOS自動使該參數的可選項出現HOST CLK和HCLK-33M,如果使用PC133記憶體,可以將該參數設為HOST CLK,如果使用PC100記憶體,則可以將該參數設為HCLK-33M,這樣就可使系統配合效能較低的PC100記憶體使用。


記憶體異步功能使系統對記憶體的相容性的提升是比較明顯的,也是VIA晶片組一項比較重要的功能。

鮫ank Interleave(記憶體Bank交錯)

  可選項:Disabled,2-Bank,4-Bank。

  記憶體交錯使SDRAM記憶體各個面的重新整理時鐘信與讀寫時鐘信號能夠交錯出現,這可以實現CPU在重新整理一個記憶體面的同時對另一個記憶體面進行讀寫,這樣就不必花費專門的時間來對各個記憶體面進行重新整理。


而且在CPU即將訪問的一串記憶體位址分別位於不同記憶體面的情況下,記憶體面交錯使CPU能夠實現在向後一個記憶體面傳送位址的同時從前一個記憶體面接收資料,從而產生一種流水線操作的效果,提高了SDRAM記憶體的帶寬。


因此,有人甚至認為啟用記憶體交錯對於系統效能的提高比將記憶體CAS延遲時間從3改成2還要大。

瞻ㄨL,記憶體交錯是一個比較進階的記憶體設定選項,有一些採用VIA 694X晶片組的主機板由於BIOS版本較舊,可能沒有該設定項,這時可以昇級主機板的BIOS。


如果在最新版的BIOS中仍未出現該設定項,那就只有通過某些VIA晶片組記憶體BANK交錯開啟軟體,如WPCREdit和相應的插件(可以從「驅動之家」網站下載)來修改北橋晶片的暫存器,從而開啟記憶體交錯模式。


SDRAM Driver Strength(記憶體訪問信號的強度)

  可選項:Auto,Manual。

  此選項用於控制記憶體訪問信號的強度。

一般情況下可以將該選項設定成Auto,此時晶片組承擔記憶體訪問信號強度的控制工作並自動調整記憶體訪問信號的強度以與電腦中安裝的記憶體相適應。


如果需要超頻或排除電腦故障,則可以將該參數設為Manual,這時就可以手工調整SDRAM Driver 類型(記憶體訪問信號強度值)的數值。

壘DRAM Driver 類型(記憶體訪問信號強度值)

  可選項:00至FF(十六進制)。

  該選項決定了記憶體訪問信號強度的數值。要注意的是只有將SDRAM Driver Strength選項設為 Manual時,SDRAM Driver 類型的數值才是有效的。SDRAM Driver 類型的範圍是十六進制的00至FF,其數值越大,則記憶體訪問信號的強度也越大。


記憶體對工作頻率是比較敏感的,當工作頻率高於記憶體的標稱頻率時,將該選項的數值調高,可以提高電腦在超頻狀態下的穩定性。


這種作法儘管沒有提高記憶體的工作電壓(有一些超頻功能較強的主機板可以調整記憶體的工作電壓),但在提高SDRAM Driver 類型的數值時仍然要十分慎重,以免造成記憶體條的損壞。

鴿ast R-W Turn Around(快速讀寫轉換)

  可選項: Enabled,Disabled。

  當CPU先從記憶體讀取資料然後向記憶體寫入資料時,通常存在額外的延遲,該參數可以降低這種讀寫轉換之間的延遲。


將該參數設定成Enabled,可以降低記憶體讀寫轉換延遲,從而使記憶體從讀狀態轉入寫狀態的速度更快。然而,如果記憶體不能實現快速讀寫轉換,則會造成資料遺失和系統不穩定,這時就需要將該參數設定成Disabled。

穠`意:在BIOS中對記憶體進行最佳化設定可能會對電腦執行的穩定性造成不良影響,所以建議記憶體最佳化後一定要使用測試軟體進行電腦穩定性和速度的測試。

如果您對自己記憶體的效能沒有信心,那麼最好採取保守設定,畢竟穩定性是最重要的。如果因記憶體最佳化而出現電腦經常當機、重啟動或程序發生異常錯誤等情況,只要清除CMOS參數,再次設定成系統預設的數值就可以了。
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