記憶體參數最佳化寶典
去年炒得沸沸揚揚的PAT技術實際上就是種記憶體加速技術，Intel通過在北橋晶片中設定「Bypass Patch」(旁路)讓處理器對記憶體的資料訪問請求少一個時鐘週期，另外又通過構建「Optimized Patch"(最佳化路徑)讓記憶體控制器對記憶體晶片的顆粒和BamK選項時間上減少一個週期。這樣一來二去，CPU在記憶體資料讀取上減少了兩個時鐘週期，就達到了提高PC效能的目的。
PAT技術的實現對記憶體的品質有一定的要求，而許多主機板廠商通過觸類旁通的自行設計，在I865平台上同樣也實現了原本專屬I875P的PAT功能——只是更換了稱法而已。
不管怎麼說，最佳化記憶體的延遲參數對PC效能的提高有很大說明 是顯而易見的，所以，我們不妨對這方面的知識瞭解得更深入一些。
一、瞭解記憶體延遲參數
Intel平台和AMD平台的記憶體延遲參數其實都差不多，其中最一般的幾項為CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS，如圖1。
這其中大多數是沿用JEDEC的記憶體標準而來，但tRAS這個參數卻頗有爭議，JEDEC的DDR記憶體相關標準中並沒有把它列為必須的效能參數，甚至有觀點認為這一參數純粹是某些主機板廠商炒作出來的。
以上參數往往在主機板的BIOS中可以調整，一般來說設定值都是越小越好，但對記憶體顆粒的品質也相對越來越高。由於不明就裡，許多用戶都不敢貿然進行調整；為釋疑解惑，下面我們就對各項參數逐一加以解釋。
1.CAS(CL)：
記憶體讀寫操作前列位址控制器的潛伏時間。這個參數很重要，記憶體條上一般都有這個參數標記。在BIOS設定中DDR記憶體的CAS參數選項通常有「1.5」、「2」、「2.5」、「3」幾種選項，SDRAM則只有「2」、「3」兩個選項。較低的CAS週期能減少記憶體的潛伏週期以提高記憶體的工作效率。因此只要能夠穩定執行操作系統，我們應當盡量把CAS參數調低。
2.tRCD(RAS To CAS Delay)：
記憶體行位址控制器到列位址控制器的延遲時間，參數選項有2和3這兩個選項，同樣是越小越好。
3.tRP(RAS Precharge Time)：
記憶體行位址控制器預充電時間，參數選項有2和3這兩個選項，預充電參數越小則記憶體讀寫速度就越快。
4.tRAS(RAS Active Time)：
記憶體行有效至預充電的最短週期，一般我們可選的參數選項有5，6或者7這3個，但是在一些nForce 2 主機板上的選項範圍卻很大，最高可到 15，最低達到 1。調整這個參數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5－11之間。
二、瞭解記憶體交錯技術
記憶體交錯技術(Bank Interleave)也是用來提高記憶體效能的一種技術，它使記憶體各個面的重新整理時鐘信號與讀寫時鐘信號能夠交錯出現，實現CPU在重新整理一個記憶體面的同時對另一個記憶體面進行讀寫，這樣就不必花費專門的時間來對各個記憶體面進行重新整理。在CPU即將訪問的一串記憶體位址分別位於不同記憶體面的情況下，記憶體面交錯使CPU能夠實現在向後一個記憶體面傳送位址的同時從前一個記憶體面接收資料，從而產生一種流水線操作的效果，更大限度地發揮記憶體的理論帶寬。因此，有人甚至認為啟用記憶體交錯對於系統效能的提高比將記憶體CAS延遲時間從3改成2還要大。
實際Intel和VIA都支持記憶體交錯技術，主要模式有2路交錯(2-Bank )和4路交錯(4-Bank)兩種；不過出於對系統的穩定性考慮，很多支持該技術的主機板在預設情況下都關閉了記憶體交錯技術，或最多開啟2路記憶體交錯模式——雖然4路交錯可以帶來更大的效能提升。下表即為國外一位網友在EP-MVP3G2（VIA MVP3平台）主機板上使用K6-2 500MHz所作的測試結果對比：
通過昇級BIOS，VIA 694X以上晶片組都有機會開啟記憶體交錯設定項；即便BIOS不支持，也可以通過WPCREdit等專用軟體來修改北橋晶片的暫存器，從而開啟記憶體交錯模式。直接支持記憶體交錯設定的主機板以KT400/400A、P4X400居多。以威盛的P4PB 400主機板為例，進入BIOS後在「Frequency/Voltage Control」中找到「Bank Interleave」一項，就有「Disable」、「2 Bank」、「4 Bank」等三種模式可選。
三、掌握記憶體異步調節
在記憶體同步工作模式下，記憶體的執行速度與CPU外頻相同。記憶體異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令記憶體工作在高出或低於系統總線速度33MHz的情況下(也有採用3:4、4:5的倍頻模式的)。
有了這一招我們不僅可以讓「老」記憶體發揮余熱，更重要的是可以充分挖掘記憶體的潛力及獲得更寬泛的超頻空間。Intel的810∼875系列晶片組和威盛的693以後的產品，都支持記憶體異步。
以典型的VIA KT333主機板為例，進入BIOS後找到「DRAM Clock(記憶體時鐘頻率)」選項，即有「Host Clock(總線頻率和記憶體工作頻率同步)、Hclk-33MHz(總線頻率減33MHz)、Hclk+33MHz（總線頻率+33MHz）」等三種模式可選。
四、用實例說話
上面介紹了那麼多有關於記憶體最佳化的知識，大家肯定最想看到的還是實際的例證。OK，筆者做了一個簡單的測試。測試平台：Athlon XP1800+(未超頻)、Apacer DDR333 512MB、GeForce4 Ti4200、VIA KT333主機板，測試遊戲為傳統的Quake3 Arena。測試結果如下：
從以上的測試資料對比可以看到，最佳化記憶體設定對FPS遊戲畫格速度的提高不無小補，平均幅度達到4％－5％。
五、觀點：
相較其他記憶體最佳化技術，記憶體異步調節的穩定性要好得多，建議大家多根據所用記憶體的規格充分套用之。
當記憶體參數設定過高或超頻導致系統不穩定時，適當地增加記憶體電壓可以提高系統穩定性（需主機板支持），增加記憶體電壓幅度最好不要超過0.3V。