對雙通道記憶體有了較深的理解
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[分享]今天無意間對雙通道記憶體有了較深的理解,現在來分享一下
所謂雙通道DDR，簡單來說，就是芯片組可以在兩個不同的資料通道上分別尋址、讀取資料。這兩個相互獨立工作的記憶體通道是依附於兩個獨立並行工作的，位寬為64-bit的記憶體控制器下，因此使普通的DDR記憶體可以達到128-bit的位寬，如果是DDR333的話，雙通道技術可以使其達到DDR667的效果，記憶體帶寬陡增一倍。它的技術核心在於：芯片組(北橋)可以在兩個不同的資料通道上分別尋址、讀取資料R記憶體可以達到128位的帶寬。
雙通道DDR有兩個64bit記憶體控制器，雙64bit記憶體體系所提供的帶寬等同於一個128bit記憶體體系所提供的帶寬，但是二者所達到效果卻是不同的。雙通道體系包含了兩個獨立的、具備互補性的智慧式記憶體控制器，兩個記憶體控制器都能夠在彼此間零等待時間的情況下同時運作。例如，當控制器B準備進行下一次存取記憶體的時候，控制器 A就在讀/寫主記憶體，反之亦然。兩個記憶體控制器的這種互補「天性」可以讓有效等待時間縮減50%，雙通道技術使記憶體的帶寬翻了一翻。
雙通道DDR的兩個記憶體控制器在功能上是完全一樣的，並且兩個控制器的時序參數都是可以單獨編程設定的。
這樣的靈活性可以讓用戶使用三條不同構造、容量、速度的DIMM記憶體條，此時雙通道DDR簡單地調整到最低的密度來實現128bit帶寬，允許不同密度/等待時間特性的DIMM記憶體條可以可靠地共同運作。
簡而言之，雙通道技術是一種關係到主板芯片組的技術，與記憶體自身無關，只要廠商在芯片內部整合兩個記憶體控制器，就可以構成雙通道DDR系統。
而主板廠商只需要按照記憶體通道將DIMM分為Channel 1與Channel 2，用戶也需要成雙成對地插入記憶體，就如同RDRAM那樣。如果只插單根記憶體，那麼兩個記憶體控制器中只會工作一個，也就沒有了雙通道的效果。
雙通道記憶體技術是解決CPU總線帶寬與記憶體帶寬的矛盾的低價、高性能的方案。現在CPU的FSB（前端總線頻率）越來越高，英特爾 Pentium 4比AMD Athlon XP對記憶體帶寬具有高得多的需求。英特爾 Pentium 4處理器與北橋芯片的資料傳輸採用QDR（Quad Data Rate，四次資料傳輸）技術，其FSB是外頻的4倍。英特爾 Pentium 4的FSB分別是400/533/800MHz，總線帶寬分別是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的記憶體帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。
在單通道記憶體模式下，DDR記憶體無法提供CPU所需要的資料帶寬從而成為系統的性能瓶頸。而在雙通道記憶體模式下，雙通道DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的記憶體帶寬分別是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在這裡可以看到，雙通道DDR 400記憶體剛好可以滿足800MHz FSB Pentium 4處理器的帶寬需求。
而對AMD Athlon XP平台而言，其處理器與北橋芯片的資料傳輸技術採用DDR（Double Data Rate，雙倍資料傳輸）技術，FSB是外頻的2倍，其對記憶體帶寬的需求遠遠低於英特爾 Pentium 4平台，其FSB分別為266/333/400MHz，總線帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用單通道的DDR 266/DDR 333/DDR 400就能滿足其帶寬需求，所以在AMD K7平台上使用雙通道DDR記憶體技術，可說是收效不多，性能提高並不如英特爾平台那樣明顯，對性能影響最明顯的還是採用整合顯示芯片的整合型主板。