DRAM
態隨機存取記憶體，利用電晶體的電容通放效應做的一種
RAM，在同樣大小的晶片(顆粒)上可以比 SRAM 做出更多
的容量，在速度上比 SRAM 慢很多(成本更低) DRAM 是利
用電晶體的電容通放效應做出來的，它會有電容漏電的現象
，導致記憶的狀態改變，因故需要一組電位復歸/ 刷新電路
(由主機板的晶片組提供)來進行 DRAM 的電位復歸/ 刷新以
維持記憶的狀態。工作速度 80~100 ns，比同顆粒的
SRAM 多出至少 20 倍的容量。
EDO RAM
改良過具有快取功能的動態隨機存取記憶體，在DRAM
的晶片上加上一個 1 bit 的快取線路用以提昇 DRAM
晶片的工作速度。
SRAM
靜態隨機存取記憶體，採用邏輯閘的線路設計，反映快速
穩定，工作速度只有 5 ~ 20 ns 之間，因為成本高，加上
單一顆粒的容量不大，只有主機板的快去記憶體用 SRAM
來增加主機板的效能。
SDRAM
一種接著 EDO RAM 之後的 RAM 算是 EDO RAM 的接班人
有著更快的速度更大的容量，工作速度 80~50 ns，市面上
仍看的到，有PC-100、133、150 之區分。
DDR RAM
為 SDRAM 的接班人，係利用系統時脈的上下邊緣來作觸發
存取資料，必起 SDRAM 用單一邊緣觸發存取資料來的更有
效率，使其資料的傳出能力提升為 SDRAM 的兩倍，固有
DDR 200、266、333、400、500，指的是上下邊緣來作
觸發的次數，既主機板的系統時脈如為 133 者的兩倍=266。
CPU 的外頻既是這個主機板的系統時脈，內頻是用倍頻線路
已倍數乘上去的，如 Athlon 1000GHz = 133 * 7.5。而
DDR 是主機板的系統時脈*2=266 。除非 CPU 有要外頻
166 以上的能力(要靠 AMD 來改良)不然用 DDR 333/400
的效能會一樣，因為還是在 DDR 266 的速度在跑，除非超頻。
應該是這樣吧~~~~~~我也忘了差不多
