像素值(Pixel)多少代表著解析度，這就是大多廠商在廣告和包裝中如此強調像素數量的原因，但是：像素不是影響品質的唯一標準！
但要清晰一定需要足夠的像素,11萬是少了點,還要有30 frames per second 才不會delay
CMOS感測器是一種通常比CCD感測器低10倍感光度的感測器。
因為人眼能看到1Lux照度（滿月的夜晚）以下的目標，CCD感測器通常能看到比人眼略好在0.1~3Lux，是CMOS感測器感光度的3到10倍。CMOS感測器的感光度一般在6到15Lux的範圍內,CMOS感測器在10Lux以下基本沒用
CMOS感測器可以做得非常大並有和CCD感測器同樣的感光度，CMOS感測器非常快速，比CCD感測器要快10到100倍，因此非常適用于特殊應用如high ens DSC camera ( Cannon D-30 )或者高幀攝像機
儘管CCD表示“電荷耦合器件”而CMOS表示“互補金屬氧化物半導體”，但是不論CCD或者CMOS對於圖像感應都沒有用，真正感應的感測器稱做“圖像半導體”，CCD和CMOS感測器（暫且如此稱呼）實際使用的都是同一種感測器“圖像半導體”，圖像半導體是一個P N結合半導體，能夠轉換光線的光子爆炸結合處成為成比例數量的電子。電子的數量被計算信號的電壓，光線進入圖像半導體得越多，電子產生的也越多，從感測器輸出的電壓也越高
ＣＣＤ〈Charge Coupled Device ，感光耦合元件〉這是1969年由美國的貝爾研究室所開發出來的,多少像素，指的就是ＣＣＤ的解析度,也就是指ＣＣＤ上有多少感光元件,CＣＤ上感光元件的表面具有儲存電荷的能力，並以矩陣(傳統)的方式排列,當其表面感受到光線時，會將電荷反應在元件上，整個ＣＣＤ上的所有感光元件所產生的訊號，就構成了一個完整的畫面。因此，ＣＣＤ通常用在數位相機〈Digital Camera〉與掃瞄器〈Scanner〉上，作為感光的元件。
CCM(Compact Camera Module)
ＣＭＯＳ〈Complementary Metal-Oxide Semiconductor，互補性氧化金屬半導體〉
CMOS的製造技術和一般電腦晶片沒什麼差別，主要是利用矽和鍺這兩種元素所做成的半導體，使其在CMOS上共存著帶N（帶 – 電） 和 P（帶 + 電）級的半導體，這兩個互補效應所產生的電流即可被處理晶片紀錄和解讀成影像
然而，CMOS的缺點就是太容易出現雜點, 這主要是因為早期的設計使CMOS在處理快速變化的影像時，由於電流變化過於頻繁而會產生過熱的現象。
CMOS 對抗CCD的優勢在於成本低,耗電需求少, 便於製造, 可以與影像處理電路同處於一個晶片上。
CMOS Sensor發明得比CCD早，但近十年才應用在低階的消費性產品，具有低耗電量的特性，可採用標準半導體製程大量生產而降低成本，同時與周邊晶片組整合性高可發展成SoC、縮小面積等優點，近來廣泛應用在中低階的PC camera、數位相機、保全監視器與玩具等應用，未來更在手機、PDA甚至生物感測、汽車後視鏡、醫學儀器方面擁有龐大的成長空間，唯獨其靈敏度與動態範圍較差，低照度下易產生雜訊。
CCD Sensor發展迄今將近30年，因此技術十分成熟，影像品質良好，主要應用在高階市場。CCD可分為面型CCD和線型CCD兩類，面型CCD建立二維的影像，主要應用在高階數位相機、保全監視器和攝錄影機，而線型CCD主要應用在傳真機、掃描器與數位影印機。此外，其應用領域尚擴及太空及軍事攝影等。然而由於CCD Sensor需要多電壓使其耗電量高，且其特殊製程與設備讓成本高居不下，縮小面積困難度也高，近來在低畫素應用方面逐漸為CMOS Sensor所取代。
PC Camera最適合採用CMOS sensor為感光元件，可惜在去年未如預期般有爆炸性的成長，主因是缺少殺手級的應用，加上頻寬的不足，無法達到預期表現。至於數位相機方面，市場的趨勢是往高解析度發展，CCD Sensor由於是很成熟的產品，在高解析度的應用上較CMOS Sensor更為適合
CCD畫素為MOS電容構成的，讀取電荷訊號時需要使用電壓相當大(5~15V)的時序(clock)信號，才能有效地達到電荷傳遞的功能，因此使用CCD的取像系統，除了要有多個電源外，CCD的周邊電路也會消耗相當大的功率。CMOS感測器則只需要單一個5V(或3.3V)電源，能大幅提高電源的使用效率。典型的CCD取像系統須消耗2~5W的功率，而有些使用CMOS的取像系統則只須消耗20~50mW的功率。
