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psac 2003-06-08 12:23 AM

看晶片識記憶體編號識別
 
看晶片識記憶體 :)
記憶體晶片如按廠家所屬地域來分主要有日,韓廠家,歐.美地區及中國大陸.另含台灣的廠家等等。看編號識記憶體晶片是瞭解記憶體的一個好方法,下面是千辛萬苦收集到的一批資料,可以讓你去瞭解下它們:

主要的記憶體晶片廠商的名稱既晶片代號如下:
現代電子HYUNDAI:HY〔註:代號〕
三星SAMSUNG:KM或M
NBM:AAA
西門子SIEMENS:HYB
高士達LG-SEMICON:GM
HITSUBISHI:M5M
富士通FUJITSU:MB
摩托羅拉MOTOROLA:MCM
MATSUSHITA:MN
OKI:MSM
美凱龍MICRON:MT
德州儀器TMS:TI
東芝TOSHIBA:TD或TC
日立HITACHI:HM
STI:TM
日電NEC:uPD
IBM:BM
NPNX:NN

一.日本產系列:

  主要廠家有Hitachi〔日立〕,Toshiba〔東芝〕,NEC〔日電〕,Mitsubishi〔三菱〕等等,日產晶圓的特點是品質不錯,價格稍高。

  1.HITACHI〔日立〕。

  日立記憶體質量不錯,許多PC100的皆可穩上133MHz。它的穩定性好,生產精細,日立記憶體晶片的編號有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,區別是A60的CL是2,B60的CL是3。市面上B60的多,但完全可超133MHz外頻,
HITACHI的SDRAM晶片上的標識為以下格式:

  HM 52 XX XX 5 X X TT-XX
  HM代表是日立的產品,52是SDRAM,如為51則為EDO DRAM。
  第1、2個X代表容量。
  第3、4個X表示資料位寬,40、80、16分別代表4位、8位、16位。
  第5個X表示是第幾個版本的內核,現在至少已經排到"F"了。
  第6個X如果是字母"L"就是低功耗。空白則為普通。
  TT為TSOII封裝。
  最後XX代表速度:
  75:7.5ns〔133MHz〕
  80:8ns〔125MHz〕
  A60:10ns〔PC-100 CL2或3〕
  B60:10ns〔PC-100 CL3〕
  例如:HM5264805F-B60,是64Mbit,8位輸出,100MHZ時CL是3。

  2.NEC。

  NEC的SDRAM晶片上的標識通常為以下格式:
  μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
  μPD4代表是NEC的產品。
  "5"代表是SDRAM。
  第1、2個X代表容量。
  第3或4個X表示資料位寬,4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位。當資料位寬為16位和32位時,使用兩位,即佔用第4個X。由於NEC的標識的長度固定,這會對下面的數字造成影響。
  第4或5個X代表Bank。"3"或"4"代表4個Bank,在16位和32位時代表2個Bank;"2"代表2個Bank。
  第5個X,如為"1"代表LVTTL。如為16位和32位的晶片,第5個X已被佔用,則第5個X有雙重含義,如"1"代表2個Bank和LVTTL,"3"代表4個Bank和LVTTL。
  G5為TSOPII封裝。
  -A後的XX是代表速度:
  80:8ns〔125MHz〕
  10:10ns〔PC100 CL 3〕
  10B:10ns較10慢,Tac為7,不完全符合PC100規範。
  12:12ns
  70:〔PC133〕
  75:〔PC133〕
  速度後的X如果是字母"L"就是低功耗,空白則為普通。
  -XXX:第一人X通常為數字,如64Mbit晶片上常為準,16Mbit晶片上常為7,規律不詳。其後的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估計與封裝外型有關:"NF"對應: 44-pinTSOP-II;"JF"對應54-pin TSOPII;"JH"對應86-pin TSOP-II。
  例如:μPD4564841G5-A80-9JF,64Mbit,8位,4個Bank,在CL=3時可工作在125MHZ下,在100MHZ時CL可設為2。

  3.TOSHIBA東芝。

  TOSHIBA的晶片上的標識為以下格式:
  TC59S XX XX X FT X-XX
  TC代表是東芝的產品。
  59代表是SDRAM系列。其後的S為普通SDRAM,R為Rambus SDRAM,W為DDR SDRAM。
  第1、2個X代表容量。64為64Mbit,M7為128Mbit。
  第3、4個X表示資料位寬,04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。
  第5個X估計是用來表示內核的版本。目前常見的為"B"。
  FT為TSOPII封裝。
  FT後如果有字母"L"就是低功耗,空白則為普通。
  最後的XX是代表速度:
  75:7.5ns〔133MHz〕
  80:8ns〔125MHz〕
  10:10ns〔100MHz CL=3〕
  例如:TC59S6408BFTL-80,64Mbit,8位,可正常工作在125MHz,且為低功耗型號。

二.韓國產系列:

  韓國現在的SEC三星和HY(現代,它還將LGS給兼併了)佔據了世界記憶體產量的多半份額,韓國產晶圓的特點是質量比較穩定,價格也較合理。

  1.SEC〔Samsung Electronics〕三星。

  三星的SDRAM晶片的標識為以下格式:
  KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX
  KM代表是三星的產品。
  三星的SDRAM產品KM後均為4,後面的"S"代表普通的SDRAM,如為"H",則為DDR SDRAM。
  "S"前兩個XX表示資料位寬,4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。
  三星的容量需要自己計算一下。方法是用"S"後的X乘S前的數字,得到的結果即為容量。
  "0"後的第一個X代表由幾個Bank構成。2為2個Bank,3為難個Bank。
  "0"後的第2個X,代表interface,1為SSTL,0為LVTTL。
  "0"後的第3個X與版本有關,如B、C等,但每個字母下又有各個版本,在表面上並不能看得出來。
  "T"為TSOP封裝。
  速度前的"G"和"F"的區別在自重新整理時的電流,"F"需要的電流較"G"小,相當於一般的低功耗版。
  "G/F"後的X代表速度:
  7:7ns〔143MHz〕
  8:8ns〔125MHz〕
  H:10ns〔PC100 CL2或3〕
  L:10ns〔PC100 CL3〕
  10:10ns〔100MHz〕
  例如:KM416S4031BT-GH,是64Mbit〔16*4〕,16,4個Bank,在100MHZ時CL=2。
  三星公佈的標準PC133晶片:
  Unbuffered型:KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
  Registered型:KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

  2.HYUNDAI現代

 現在國內常見的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。現代的HY PC 100 SDRAM的編號應是ATC 10或BTC,沒有A的或B的,就不是PC 100記憶體。經測試,發現HY編號為ATC10的SDRAM上133MHz時相當困難。而編號ATC8的上133MHz也不行,但可超到124MHz。編號BTC的SDRAM上133MHz很穩定。66841XT75為PC133的,66841ET7K為PC100的。

  現代的SDRAM晶片上的標識為以下格式:
  HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX
  HY代表是現代的產品。
  5X表示晶片類型,57為一般的SDRAM,5D為DDR SDRAM。
  第2個X代表工作電壓,空白為5V,"V"為3.3V, "U"為2.5V。
  第3-5個X代表容量和重新整理速度,分別如下:
  16:16Mbits,4K Ref。
  64:64Mbits,8K Ref。
  65:64Mbits,4K Ref。
  128:128Mbits,8K Ref。
  129:128Mbits,4K Ref。
  256:256Mbits,16K Ref。
  257:256Mbits,8K Ref。
  第6、7個X代表晶片輸出的資料位寬,40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。
  第8個X代表記憶體晶片內部由幾個Bank組成,1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank。是2的冪次關係。
  第9個X一般為0,代表LVTTL〔Low Voltage TTL〕接頭。
  第10個X可以為空白或A、B、C、D等字母,越往後代表內核越新。
  第11個X如為"L"則代表低功耗的晶片,如為空白則為普通晶片。
  第12、13個X代表封裝形式,分別如下:
  JC:400mil SOJ
  TC:400mil TSOP-II
  TD:13mm TSOP-II
  TG:16mm TSOP-II
  最後幾位為速度:
  7:7ns〔143MHz〕
  8:8ns〔125MHz〕
  10p:10ns〔PC-100 CL2或3〕
  10s:10ns〔PC-100 CL3〕
  10:10ns〔100MHz〕
  12:12ns〔83MHz〕
  15:5ns〔66MHz〕
  例如:常見的HY57V658010CTC-10s,HY是現代的晶片,57說明是SDRAM,65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms,下來的8是8位輸出,10是2個Bank,C是第4個版本的內核,TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝,10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的產品,-7J和-7K也不是PC133的產品。-8的性能要好於-7K和-7J。

  3.LGS〔LG Semicon〕

  LGs早已被HY現代納入麾下,但還是有必要單獨介紹下它。LG現有的記憶體條編號後綴為7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100規格的,速度極慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM,7J和7K工作模式的速度參數不同,LGs 7J編號在1073222,LGs 7K編號是1072222,兩者的主要區別是第三個反應速度的參數上。而8才是真正的8ns PC 100記憶體,但國內沒有出現。現在市面上還有很多10K的LGs記憶體,速度比7J和7K差很遠,但因外型相差不大,所以不少奸商把10K冒充7J或7K的來賣。而7J和7K經過測試比較,7K比7J的更優秀,上133MHz時7K比7J更穩定,但7K的市面上不多見。

  LGS的SDRAM晶片上的標識為以下格式:
  GM72V XX XX X 1 X X T XX
  GM代表為LGS的產品。
  72代表SDRAM。
  第1、2個X代表容量,類似現代,16為16Mbits,66為64Mbits。
  第3、4個X表示資料位寬,一般為4、8、16等,不補0。
  第5個X代表Bank,2對應2個Bank,4對應4個Bank,和現代的不一樣,屬於直接對應。
  第6個X表示是第幾人版本的內核,現在至少已經排到"E"了。
  第7個X如果是字母"L",就是低功耗,空白則為普通。
  "T"為常見的TSOPⅡ封裝,現在還有一種BLP封裝出現,為"I"。
  最後的XX自然是代表速度:
  7.5:7.5ns〔133MHz〕
  8:8ns〔125MHz〕
  7K:10ns〔PC-100 CL2或3〕
  7J:10ns〔100MHz〕
  10K:10ns〔100MHz〕
  12:12ns〔83MHz〕
  15:15ns〔66MHz〕
  例如:GM72V661641CT7K,這是64Mbit,16位輸出,4個Bank,剛達到PC-100的要求(CL=3)SDRAM。  

三.歐美生產系列及其它:

  在歐美記憶體廠商中Micron,IBM,SIEMENS西門子等都較有名氣。另外台灣的廠家這幾年來進步也很神速,如茂矽、台晶、華邦、台積電和聯華等廠家在生產規模和技術上已經趕韓超美了,國產的晶圓的質量不錯,價格也很便宜。

  1.Micron。

  Micron的SDRAM晶片下標識為以下格式:
  MT48 XX XX M XX AX TG-XX X
  MT代表是Micron的產品。
  48代表是SDRAM系列。其後的XX如為LC則為普通SDRAM。46V為DDR SDRAM。
  Mricron的容量需要自己計算一下。方法是將XX M XX中的M前後的數字相乘,得到的結果即為容量。
  M後的XX表示資料位寬,4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。
  AX代表Write Recovery〔Twr〕,如A2表示Twr=2clk。
  TG為TSOPII封裝。LG為TGFP封裝。
  最後的XX是代表速度:
  7:7ns〔143MHz〕
  75:7.5ns〔133MHz〕
  8X:8ns〔125MHz〕
  其中X為A~E,字母越後性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分別為:3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。
  10:10ns〔100MHz CL3〕
  速度後如有L則為低耗。
  2.IBM。
  PC電腦的開山鼻祖實力當然不俗。IBM的PC100記憶體有XXXXXXXCT3B260。
  IBM的SDRAM晶片上的標識為以下格式:
  IBM03 XX XX X XT3X ---XXX
  IBM代表為IBM的產品。
  IBM的SDRAM產品均為03。
  第1、2個X代表容量。
  第3、4個X表示資料位寬,為40、80、16等。
  一般的封裝形式為TSOP。對4位資料位寬的型號,如第4個X不為0而為B,則為TSOJ封裝。
  第5個X意義不詳,16Mbit上多為9,64Mbit上多為4。
  第6個X為P為低功耗,C為普通。
  第7個X表示內核的版本。
  最後的XXX代表速度:
  68:6.8ns〔147MHz〕
  75A: 7.5NS〔133MHz〕
  260或222:10ns〔PC100 CL2或3〕
  360或322:10ns〔PC100 CL3〕在B版的64Mbit晶片中,260和360在CL=3時的標定速度為:135MHZ。
  10:10NS〔100MHz〕
  例如:IBM0316809CT3D-10,16Mbit,8位,不符合PC-100規範。
  3.SIEMENS〔西門子〕
  晶片標識:HYB39S xx xx0 x T x -xx
  前兩個xx為容量,最後兩位xx是速度:
  6—166MHz
  7—143MHz
  7.5—133MHz
  8—125MHz
  8B—100MHz〔CL3〕
  10—100MHz〔PC66規格〕

只是少了DDR記憶體顆粒的介紹,希望能找到資料補齊。

henryown 2003-06-08 07:46 AM

中國台灣省???

咖啡華 2003-06-08 07:41 PM

在歐美記憶體廠商中Micron,IBM,SIEMENS西門子等都較有名氣。另外中國台灣省的廠家這幾年來進步也很神速,如茂矽、台晶、華邦、台積電和聯華等廠家在生產規模和技術上已經趕韓超美了,國產的晶圓的質量不錯,價格也很便宜。


他應該是直接轉載的吧...麻煩開版的人...修改一下..是>>中華民國台灣省..OK
不然我一定抗議....中國台灣省<<< 沒有這個地方...我們住在中華民國台灣省OK


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