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舊 2003-11-07, 08:54 PM   #1
psac
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預設 記憶體技術與發展

當今的記憶體技術正在蓬勃的發展,幾個大廠商都在加緊自己新型記憶體技術的發展,其中尤以RDRAM和DDR的較量最為激烈。

下面一起看看這幾種新型記憶體的技術與當今記憶體的一些技術參數。

  SDRAM(Synchronous DRAM)的中文名字是「同步動態隨機存儲器」,這就是目前主推的PC100和PC133規範所廣泛使用的記憶體類型,它的帶寬為64bit,3.3 V電壓,目前產品的最高速度可達5ns。

它是與CPU使用相同的時鐘頻率進行資料交換,它的工作頻率是與CPU的外頻同步的,不存在延遲或等待時間。

眾所周知,現有的晶片組除了Intel i820以外,都能對SDRAM進行支持,仍為目前的主流記憶體。

  DDR SDRAM(Dual date rate SDRSM):
又簡稱DDR,是「雙倍速率SDRAM」的意思,由於它可以在時鐘觸發沿的上、下沿都能進行資料傳輸,所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/S。DDR不支持3.3V電壓的LVTTL,而是支持2.5V的SSTL2標準。

它仍然可以沿用現有SDRAM的生產體系,製造成本比SDRAM略高一些(約為10%左右),但仍要遠小於RAMBUS的價格,因為製造普通SDRAM的設備只需稍作改進就能進行DDR記憶體的生產,而且它也不存在專利等方面的問題,所以它代表著未來能與RAMBUS相抗衡的記憶體發展的一個方向,也將是VIA推廣PC266標準的重要支柱記憶體。

目前已經得知的支持DDR的晶片組有AMD的760晶片組與揚智(ALi)的M1651和M1647兩款北橋晶片,揚智這兩款北橋晶片是分別面向Intel和AMD的兩種不同體系的。

  Direct Rambus DRAM(DRDRAM)「接頭動態隨機存儲器」,這是Intel所推崇的未來記憶體的發展方向,它將RISC(精簡指令集)引入其中,依靠高時鐘頻率來簡化每個時鐘週期的資料量。它具有相對SDRAM較高的工作頻率(不低於300MHz),但其資料通道接頭帶寬較低,只有16bit,當工作時鐘為300MHz時,Rambus利用時鐘的上沿和下沿分別傳輸資料,因此它的資料傳輸率能達到300x16x2/8=1.2GB/S,若是兩個通道,就是2.4GB/S。
它與傳統DRAM的區別在於引腳定義會隨指令變化,同一組引腳線既可以被定義成位址線也可以被定義成控制線。

其引腳數僅為普通DRAM的三分之一。當需要擴展晶片容量時,只需要改變指令,不需要增加晶片引腳。

DRDRAM要求RIMM中必須都插滿,空餘的插槽中必須插上傳接板(也叫終結器)。目前只有Intel的i820晶片組對DRDRAM進行支持。

  Virtual Channel Memory(VCM)「虛擬通道存儲器」,這是目前大多數最新的主機板晶片組都支持的一種記憶體標準,VCM是由NEC公司開發的一種的「緩衝式DRAM」,該技術將在大容量SDRAM中採用。它集成了所謂的「通道緩衝」,由高速暫存器進行配置和控制。

在實現高速資料傳輸的同時,VCM還維持著與傳統SDRAM的高度相容性,所以通常也把VCM記憶體稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在於不論CPU是不是經過處理以後的資料都可以先行交於VCM進行處理,而普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以後的資料,這就是為什麼VCM要比SDRAM處理資料的速度快20%以上的原因。

目前的VCM SDRAM支持的晶片組也很多,包括815E、694X等在內的差不多支持SDRAM的晶片組都可以對VCM SDRAM進行支持。  

  記憶體參數:

  tCK(TCLK)系統時鐘週期,它代表SDRAM所能執行的最大頻率。數字越小說明SDRAM晶片所能執行的頻率就越高。

對於一片普通的PC-100 SDRAM來說,它晶片上的標識-10代表了它的執行時鐘週期為10ns,即可以在100MHZ的外頻下正常工作。大多數記憶體標號的尾數表示的就是tCK週期。PC133標準要求tCK的數值不大於7.5ns。

  tAC(Access Time from CLK)是最大CAS延遲時的最大數輸入時鐘,PC100規範要求在CL=3時TAC不大於6ns。

某些記憶體編號的位數表示的是這個值。目前大多數SDRAM晶片的存取時間為5、6、7、8或10ns。這不同於系統時鐘週期,它們二者之間是有著本質的區別。比如一種LG的PC-100 SDRAM,它晶片上的標識為-7J或-7K,這代表了它的存取時間為7ns。

  CL(CAS Latency)為CAS的延遲時間,這是縱向位址脈衝的反應時間,也是在一定頻率下衡量支持不同規範的記憶體的重要標誌之一。比如現在大多數的SDRAM(在外頻為100MHz時)都能執行在CAS Latency = 2或3的模式下,也就是說這時它們讀取資料的延遲時間可以是二個時鐘週期也可以是三個時鐘週期。

(當然在延遲時間為二個時鐘週期時,SDRAM會有更高的效能。)在SDRAM的製造程序中,可以將這個特性寫入SDRAM的EEPROM(就是SPD)中,在開機時主機板的BIOS就會檢查此項內容,並以CL=2這一預設的模式執行。

  對於PC 100記憶體來說,就是要求當CL=3的時候,tCK(System clock cycle time)的數值要小於10ns、tAC(Access time from CLK)要小於6ns。至於為什麼要強調是CL=3的時候呢,這是因為對於同一個記憶體條當成設定不同CL數值時,tCK的值是很可能不相同的,當然tAC的值也是不太可能相同的。

關於總延遲時間的計算一般用這個公式:總延遲時間=系統時鐘週期x CL(CAS Latency)模式數+存取時間(tAC),比如某PC100記憶體的存取時間為6ns,我們設定CL模式數為2(即CAS Latency=2),則總延遲時間=10ns x 2 + 6ns=26ns,這就是評價記憶體效能高低的重要數值。對於將PC100、PC133記憶體只使用在66MHz或100MHz總線下的朋友,強烈建議你們將CAS Latency的數值設為2,這樣你的記憶體無疑會有更好的效能。

  DDR、RAMBUS和VCM SDRAM分處於三大陣營之中,他們各自都有自己的優勢,最後鹿死誰手還需要以後的事實來說話,以現在的處境來講,DDR的形勢似乎更處於有利的位置。

  (轉載自倚天硬體)
psac 目前離線  
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舊 2003-11-08, 06:54 AM   #2 (permalink)
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感謝分享
ian78 目前離線  
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舊 2003-11-09, 03:58 AM   #3 (permalink)
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科技的發達
造成了現在的硬體設備
普遍都很便宜

記得以前早期記憶體的價碼
是以每MB來計算的
辛塔 目前離線  
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