我想起來了電晶體(BJT)放大器通病,就是輸入阻抗普遍不高,導致增益或音質或
雜音拒斥比的嚴重不足,有因而有的會採用達零頓對放大器,導入到 AB 類放大器中,
一來可以增加輸入阻抗與電流增益;二來可以降低輸出阻抗,可是電晶體的那種諧波失
真還是有 ...。輸入阻抗再高也不會不比真空管、MOS 類好。
BJT 好處是切換速度快,功率增益高。但 MOS 類的缺點是功率增益不足,切換速度慢,
為此有 VMOS 的晶體問世(高功率用版本)。
有些比較好得放大器還會使用差動放大器、運算大器等來作前級放大的補強。
在輸出的阻抗批配上,有使用變壓器耦合輸出、電容耦合輸出、直接耦合輸出,這三種。
其中就以頻率響應、阻抗匹配上,直接耦合輸出是不錯得設計,但是直接輸出的會考驗著
放大器的設計,而以變壓器耦合輸出的需要考慮到負載喇叭的阻抗,才會有好得效果。
B、AB類放大器的設計上,就可以使用上述三種的耦合輸出,當然功率放大的元件,就可以
是 BJT、達零頓BJT、VMOS、真空管等等。
為何之前有聽說提說 VMOS 可以媲美真空管的原因是,極高的輸入阻抗的因故,
因為真空管的輸入阻抗極高約是 MΩ 的等級,MOS 類的半導體也是如此,不象 BJT 是
KΩ 的等級。此外 MOS 也像 BJT 一樣省電,不像真空管的高耗能。
我那個認識的一個老師說過,好得放大器要:
1.要有高輸入阻抗(越高越好)與低輸出阻抗(越低越好)。
2.高的功率增益與寬的頻率響應。
3.要低耗能、體積小。
不過常常是事與願違的啦 ...
此帖於 2008-12-10 08:54 PM 被 getter 編輯.
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