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2003-04-25, 11:04 AM
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#3 (permalink) |
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管理員
 
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DRAM
態隨機存取記憶體，利用電晶體的電容通放效應做的一種 RAM，在同樣大小的晶片(顆粒)上可以比 SRAM 做出更多 的容量，在速度上比 SRAM 慢很多(成本更低) DRAM 是利 用電晶體的電容通放效應做出來的，它會有電容漏電的現象 ，導致記憶的狀態改變，因故需要一組電位復歸/ 刷新電路 (由主機板的晶片組提供)來進行 DRAM 的電位復歸/ 刷新以 維持記憶的狀態。工作速度 80~100 ns，比同顆粒的 SRAM 多出至少 20 倍的容量。 EDO RAM 改良過具有快取功能的動態隨機存取記憶體，在DRAM 的晶片上加上一個 1 bit 的快取線路用以提昇 DRAM 晶片的工作速度。 SRAM 靜態隨機存取記憶體，採用邏輯閘的線路設計，反映快速 穩定，工作速度只有 5 ~ 20 ns 之間，因為成本高，加上 單一顆粒的容量不大，只有主機板的快去記憶體用 SRAM 來增加主機板的效能。 SDRAM 一種接著 EDO RAM 之後的 RAM 算是 EDO RAM 的接班人 有著更快的速度更大的容量，工作速度 80~50 ns，市面上 仍看的到，有PC-100、133、150 之區分。 DDR RAM 為 SDRAM 的接班人，係利用系統時脈的上下邊緣來作觸發 存取資料，必起 SDRAM 用單一邊緣觸發存取資料來的更有 效率，使其資料的傳出能力提升為 SDRAM 的兩倍，固有 DDR 200、266、333、400、500，指的是上下邊緣來作 觸發的次數，既主機板的系統時脈如為 133 者的兩倍=266。 CPU 的外頻既是這個主機板的系統時脈，內頻是用倍頻線路 已倍數乘上去的，如 Athlon 1000GHz = 133 * 7.5。而 DDR 是主機板的系統時脈*2=266 。除非 CPU 有要外頻 166 以上的能力(要靠 AMD 來改良)不然用 DDR 333/400 的效能會一樣，因為還是在 DDR 266 的速度在跑，除非超頻。 應該是這樣吧~~~~~~我也忘了差不多  |
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